内容发布更新时间 : 2024/9/23 9:33:39星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

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纳米压印光刻工艺浅谈及其专利分析

纳米压印光刻工艺浅谈及其专利分析

张乐伏霞

（国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心，江苏 苏州 215163） [摘要]光刻技术是半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一，传统光刻技术有着各自的缺点，结构复杂，分辨率受限于衍射极限。随着在应用中技术问题的增多，寻找解决技术障碍的新方案、找到下一代可行的技术路径，备受人们的关注。在这场技术竞赛中，纳米压印工艺得到人们的普遍关注，它的分辨率不受限于衍射极限，图形的均一性符合大生产的要求，使得人们看到找到纳米技术

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的突破口的可能。本文统计、分析了全球纳米压印工艺的专利申请文件，并通过相关重点专利对纳米压印工艺进行了分析介绍，继而针对纳米压印工艺的发展所遇到的关键技术挑战进行了归纳。

[ 关键词 ]纳米压印；光刻；专利；发展前景；技术挑战 0引 言

光刻技术是半导体及相关产业发展和进步的关键技术，传统的光刻技术有紫外光刻、电子束光刻等，然而这些技术有着各自的缺点，结构复杂，依赖于光学系统进行成像，分辨率受限于衍射极限。在过去的几十年中，传统光刻技术发挥了重大作用；但另一方面，随着在应用中技术问题的增多、用户对应用本身需求的提高，寻找解决技术障碍的新方案、找到下一代可行的技术路径，去支持产业的进步也显得非常紧迫，大量的研发和开发资金投入到了这场竞赛中。在这场技术竞赛中，纳米压印工艺得到人们的普遍关注，它的分辨率已经达到了10 nm，目前的主要应用领域是MEMS、MOEMS、微应用流体学器件和生物器件，也将是未来半导体厂商实现32 nm技术节点生产的主流技术。由于纳米压印工艺在一些公司的研究中心工艺上取得的突破以及验证的技术优势，使得人们看到了找到纳米技术突破口的可能。 1纳米压印工艺的概况分析

纳米压印工艺的首次提出是1995年，美国明尼苏达大学的周郁教授（Stephen Y chou）提出了关于纳米压印光刻工艺的首个专利申请（US5772905A）。随后，纳米压印工艺获得了广泛的关注，不断取得发展和进步。其通过物理接触方式进行图像转印和图形加工，是一种低成本、高效率的光刻技术，结构原理简单，且不依赖于光学系统成像，因而不受衍射极限的限制，可获得较高的分辨率。

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1.1纳米压印工艺专利申请量年度分布

图1为纳米压印工艺专利申请量从1996-2012年的年度分析，自1995年纳米压印工艺被首次提出后，收到了人们的关注，得到了极大的重视和发展。 图2对纳米压印光刻技术的国内专利申请量进行了年度分析，国内与国际申请量相比有很大的差距，且很多都是国外公司进行的中国申请，国内申请人提出的专利申请量相较之下更少，且经过浏览发现，很多是高校申请，足以见得，在纳米压印工艺这一技术的研究上，尚未引起国内的足够重视，还处于小范围研究阶段，更未获得实际产业化的推动。