内容发布更新时间 : 2024/5/29 14:40:50星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

第六章 半导体催化剂的催化作用及光催化

原理

? 本章主要内容：

? 半导体的能带结构及其催化活性

? 从能带结构出发，讨论催化剂的导电性能、逸出功与催化活性的关

系

? 半导体多相光催化原理

金属氧化物与金属硫化物催化剂概述

过渡金属氧化物与过渡金属硫化物有许多相似之处，多为半导体型化合物。

作为氧化用的过渡金属氧化物催化剂主要催化反应类型是烃类的选择性氧化和NOx的还原等；

作为催化剂的多为过渡金属硫化物，如Mo、W、Ni、Co、Fe等的金属硫化物具有加氢、异构、氢解等催化活性，用于油品的加氢精制；加氢脱硫(HDS)、加氢脱氮(HDN)、加氢脱金属(HDM)等过程。

半导体的能带结构及其催化活性

过渡金属氧化物、硫化物(半导体)催化剂

过渡金属氧化物、硫化物催化剂多属半导体类型，本章用半导体能带理论来说明这类催化剂的催化特性。将半导体的导电性能、电子逸出功与催化活性相关联，解释解释这类催化剂的催化作用。 固体的能带结构

原子核周围的电子是按能级排列的。例如1S，2S，2P，3S，3P……内层电子处于较低能级，外层电子处于较高能级。

固体是由许多原子组成的，固体中许多原子的电子轨道发生重叠，其中外层电子轨道重叠最多。由于这种重叠作用，电子不再局限于在一个原子内运动，而是在整个固体中运动，这种特性称为电子的共有化。

但重叠的外层电子也只能在相应的轨道间转移运动。例如3S引起3S共有化，形成3S能带；2P轨道引起2P共有化，形成2P能带。 禁带、满带或价带 、空带或导带

3S能带与2P能带之间有一个间隙，其中没有任何能级，故电子也不能进入此区，称之为禁带 ；

下面一部分的能级组成一个带，一般充满或部分充满价电子，称为满带或价带； 上面一部分的能带也组成一个带，在基态时往往不存在电子，只有处于激发态时才有电子进入此带，所以称为空带，又叫导带 ；

激发到空带中去的自由电子提供了半导体的导电能力 。 金属的能带结构

导体、半导体、绝缘体的能带结构比较

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金属的能带结构

导体都具有导带，能带没有被电子完全充满，在外电场的作用下，电子可从一个能级跃迁到另一个能级，因此能够导电。

绝缘体的能带结构

绝缘体的满带己被电子完全填满，而禁带很宽(＞5eV)，满带中的电子不能跃迁到空带上去，所以不能导电。 半导体

半导体的禁带很窄，在绝对零度时，电子不发生跃迁，与绝缘体相似；

当温度升高时，部分电子从满带激发到空带上去，空带变成导带，而满带则因电子移去而留下空穴。电子和空穴在外加电场作用下能够导电，称半导体。 半导体的类型

本征半导体：不含杂质，具有理想的完整的晶体结构，有电子和空穴两种载流子，例如Si、Ge等。

N 型半导体：含有能供给电子的杂质，此杂质的电子输入空带成为自由电子，空带变成导带。该杂质叫施主杂质。

P型半导体：含有易于接受电子的杂质，半导体满带中的电子输入杂质中而产生空穴，该杂质叫受主杂质。 本征半导体能带结构

不含杂质，具有理想的完整的晶体结构，具有电子和空穴两种载流子 N型半导体(电子型半导体)

在导带和满带之间另有一个能级，并有电子填充其中，该电子很容易激发到导带而引起导电，这种半导体就称为N型半导体。

中间的这个能级称为施主能级。满带由于没有变化在导电中不起作用。

实际情况中N型半导体都是一些非计量的氧化物，在正常的能带结构中形成了施主能级。

有四种情形的N型半导体

(1) 正离子过量：含有过量Zn的ZnO 属于N型半导体

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(2) 负离子缺位氧化物属于N型半导体

(3)高价离子同晶取代

(4) 电负性较小的原子掺杂

P型半导体(空穴型半导体)

在禁带中存在一个能级，它很容易接受满带中跃迁上来的电子，使满带中出现空穴而导

电，这种导电方式就是P型导电。

这种能级称为受主能级，有受主能级的半导体称为P型半导体，P型半导体也是一些非计量的化合物，这些非计量关系造成半导体中出现受主能级。 有三种情形的P型半导体

(1) 氧化物中正离子缺位

例如，在NiO中Ni2+缺位，相当于减少了两个正电荷。为保持电中性，在缺位附近，必定有2-Ni2+个变成Ni3+，这种离子可看作为Ni2+束缚住一个空穴，即Ni3+＝Ni2+·，这空穴具有接受满带跃迁电子的能力，当温度升高，满带有电子跃迁时，就使满带造成空穴，从而出现空穴导电。

(2) 氧化物中低价正离子同晶取代

若以Li＋取代NiO中的Ni2+，相当于少了一个正电荷，为保持电荷平衡，Li+附近相应

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要有一个Ni2+成为Ni3+。即Ni3+＝Ni2+·，这空穴具有接受满带跃迁电子的能力，同样可以造成受主能级而引起P型导电。

(3)电负性较大原子的掺杂

在NiO晶格中掺入电负性较大的原子时，例如F，它可以从Ni2+夺走一个电子成为F-，同时产生一个Ni3+，也造成了受主能级。

总之，能在禁带中靠近满带处形成一个受主能级的固体就是P型半导体，它的导电机理是空穴导电。

费米能级EF

费米能级EF是半导体中价电子的平均位能。 本征半导体中，EF在满带和导带之间； N型半导体中，EF在施主能级和导带之间； P型半导体中，EF在受主能级和满带之间。 电子逸出功由?

电子逸出功：将一个具有平均位能的电子从固体内部拉到固体外部所需的最低能量。 掺入施主杂质使费米能级提高，从而导带电子增多并减少满带的空穴。

对N型半导体来说，电导率增加了 对P型半导体而言，电导率降低 掺入受主杂质其作用正好相反

对N型半导体来说，电导率降低了 对P型半导体而言，电导率增加

半导体催化剂的化学吸附本质

半导体的催化作用把表面吸附的反应物分子看成是半导体的施主或受主。 半导体催化剂上的化学吸附：

对催化剂来说，决定于逸出功的大小； 对反应物分子来说，决定于电离势I的大小。 由?和I的相对大小决定了电子转移的方向和限度 。 (1) 当 I ＜?时

电子从吸附物转移到半导体催化剂上，吸附物带正电荷。

如果催化剂是N型半导体其电导增加，而P型半导体则电导减小。

这种情况下的吸附相当于增加了施主杂质，所以无论N型或P型半导体的逸出功都降低了。

(2) 当I＞?时

电子从半导体催化剂转移到吸附物，于是吸附物是带负电荷的粒子吸附在催化剂上，可以把吸附物视作为受主分子。

对N型半导体其电导减小，而P型半导体则电导增加，吸附作用相当于增加了受主杂质从而增加了逸出功。 (3) 当I??时

半导体与吸附物之间无电子转移，此时形成弱化学吸附，吸附粒子不带电。 无论对N型或P型半导体的电导率都无影响。 例子

对于某些吸附物如O2，由于电离势很大，无论在哪种半导体上的化学吸附总是形成负离子；

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有些吸附物，如CO、H2，由于电离势小，容易形成正离子。 半导体催化剂的催化活性

催化剂的活性与反应物、催化剂表面局部原子形成的化学吸附键性质密切相关。 化学吸附键的形成和吸附键的性质与多种因素有关，对半导体催化剂而言，其导电性是影响活性的主要因素之一。

例子

对于2N2O＝2N2十O2反应在金属氧化物催化剂上进行时，实验发现：

P型半导体氧化物(Cu2O，CoO，NiO，CuO，CdO，Cr2O3，Fe2O3等)活性最高 其次是绝缘体(MgO，CaO，Al2O3) N型半导体氧化物(ZnO)最差；

实验研究还发现，在P型半导体上进行分解反应时，催化剂的电导率增加，而在N型半导体上进行时电导下降。

据此可以推测：N2O在半导体表面上吸附时是受主分子。 2N2O＝2N2十O2的反应机理 若N2O分解分两步进行 2N2O＝2N2十O2 在P型半导体上反应活性较高的解释

反应机理中的第一步是不可逆快反应，第二步是慢反应，是决定反应速度步骤。

催化剂的电导率应该由第一步所引起，总的结果为N型电导下降，P型电导上升。这与实验结果一致。

反应速率由第二步控制，所以要加快反应速率，必须提高催化剂接受电子的速率。由于P型半导体的空穴能位比N型半导体的导带能位更低，所以接受电子的速率快得多，这就解释了P型半导体的活性较高的原因。 掺杂对2N2O＝2N2十O2反应的影响

适当加入一些杂质使费米能级下降，即加入一些受主杂质会有助于加速反应。 但是反应的决定反应速度步骤随条件而变化，当受主杂质加得太多到一定程度已严重影响到第一步要求电子的速率，这样反过来第一步会成为决定反应速度步骤。

事实上对P型半导体NiO加一些Li2O证实了上述的推论，适当加入一些Li2O可以增加空穴浓度，提高反应速率，但当Li2O的量超过0.1%时，反应速率反而降低。因为此时空穴浓度太高，使第一步吸附产生O-成为困难。所以添加Li2O有一个最佳值。 半导体催化剂的选择原则

设反应为 A+B＝C

A为施主分子，B为受主分子。其电子转移过程如下图所示：

由于A、B的吸附速率常常是不一样的，所以决定反应速度步骤也往往不一样。 若A ＋十e是慢过程，反应为施主反应，增加催化剂空穴，能增加反应速率。 若B十e -是慢过程，反应为受主反应，增加催化剂自由电子则能增加反应速率。

慢过程的确定

究竟哪一步为决定反应速度步骤？取决于反应物A、B的电离势(IA、IB)和催化剂的电子逸出功的相对大小。

对上述A+B＝C反应，催化剂的逸出功必须介于IA和IB之间，且IA＜＜IB才是有效的催化剂。

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