模拟电子技术课后习题及答案 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/12/23 19:44:18星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

第一章常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确,用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1) 在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体。()

(2)

型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(

(3)

无外加电压时,结电流为零。(

(4)

于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(

因为N)

PN结在无光照、)

处)

(5) 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压, 才

能保证其Rs大的特点。()

(6) 若耗尽型N沟道MOS管的UGs大于零,则其输入电阻会明显变小。

()

解:(1) V

X

(2) X (3) V (4) X (5) V (6)

二、选择正确答案填入空内。

(1) ____________________________________ PN结加正向电压时,空间电荷区将 ______________________________ 。

A.变窄

(2) _______________________________________________ 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 ______________________ 。

A. I se

U

B.基本不变 C.变

B. ^^

IsC.

Is(eUUT -1)

(3) 稳压管的稳压区是其工作在 ________ 。

A.前者反偏、后者也反偏 A.正向导通 B.反向截止

穿

B.前

C.反向击

(4) _____________________________________________________ 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 _______________ 。

A.前者反偏、后者也反偏

者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏

B.前

(5) _______________________________________________ UGs= 0V时,能够工作在

恒流区的场效应管有 _________________________________ 。

A.结型管 B.增强型MOS管

解:(1)A

( 2)C ( 3)C

C.耗尽型MOS管

( 4)B

( 5)AC

LD=。

二三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压

0+ Q+46 I人-0 D V 亍A rBL- 2 2

解:UOl~, UO2= 0, U)3Q — , UMQ 2V, UOQ, UOQ — 2VO

四、已知稳压管的稳压值 LZ= 6V,稳定电流的最小值lzmin= 5mA求图所 示电路中UOi和UO2各为多少伏。

-C3

V 2 D 2 0+ T

500 0

10V

10V

2kIlD %

2kU

L>l

解:UOi= 6V, UO2= 5VO

五、某晶体管的输出特性曲线如图所示,其集电极最大耗散功率 试画出它的过损耗区

\\./mA 20 r - 15 r 10 RM= 200mW

3 mA 20

15 10

J 厂

fl 10 20 IIII 30 4(1 tfcv/V 10 20 30 40

叱 |

解:根据 Peg 200mW可得:UCE= 40V时 I c= 5mA UCE= 30V时 I c~, UCE= 20V时 I尸10mA LCE= 10V时Ic= 20mA将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解 图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。

六、电路如图所示,Vcc= 15V, B — 100, UBE=。试冋:

(1) R)= 50kQ时,Uo= (2) 若T临界饱和,贝U

% 饨

5kf2 ---- o

解:

1) R = 50kQ时,基极电流、集电 极电流和管压降分别为

VBB U BE

Rb

26

卩A

Ic

IB 2.6mA

I c Rc

U CE Vcc

2V

所以输出电压UO= UCE=

2V。

(2)设临界饱和时UCES= UBE=,所以

Vec U CES

Re

匕 28.6 A

VBB UBE2.86mA

45.4k

七?测得某放大电路中三个 MOS管的三个电极的电位如表所示,它们的开启电 压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入 表内。

管号 T1 T2 T3 UGs(th)N 4 -4 -4 US/V -5 3 UGV 1 3 UD/V 工作状态 3 10 5 6 0 解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOSt。根据表中所示 各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表所示。

解表

管号 Ti T2

UGS( th ) /V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区 T3 选择合适答案填入空内。

(1在本征半导体中加入 _______ 元素可形成N型半导体,加入 ________ 元

素可形成P型半导体。 A.五价 B.四 价 C.三价 (2) __________________________________________ 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 ____________________________________ 。

A.增大

B. 不变

C.减小

(3) 工作在放大区的某三极管,如果当I B从12卩A增大到22卩A时, I c从1mA变为2mA那么它的B约为 _________________ 。

A. 83

C. 100

B.

91

(4) 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导

gm将 ___________ 。 A.增大 B.不 变 C.减小

解:(1) A,C

(2) A (3) C (4) A

能否将的干电池以正向接法接到二极管两端为什么

解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为 时,管子会因电流过大而烧坏。