内容发布更新时间 : 2024/11/7 22:45:43星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
第一章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1) 在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。()
(2)
型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(
(3)
无外加电压时，结电流为零。(
(4)
于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。(
因为N)
PN结在无光照、)
处)
(5) 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压， 才
能保证其Rs大的特点。()
(6) 若耗尽型N沟道MOS管的UGs大于零，则其输入电阻会明显变小。
()
解：(1) V
X
(2) X (3) V (4) X (5) V (6)
二、选择正确答案填入空内。
(1) ____________________________________ PN结加正向电压时，空间电荷区将 ______________________________ 。
A.变窄
宽
(2) _______________________________________________ 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 ______________________ 。
A. I se
U
B.基本不变 C.变
B. ^^
IsC.
Is(eUUT -1)
(3) 稳压管的稳压区是其工作在 ________ 。
A.前者反偏、后者也反偏 A.正向导通 B.反向截止
穿
B.前
C.反向击
(4) _____________________________________________________ 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 _______________ 。
A.前者反偏、后者也反偏
者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
B.前
（5） _______________________________________________ UGs= 0V时，能够工作在
恒流区的场效应管有 _________________________________ 。
A.结型管 B.增强型MOS管
解：（1）A
（ 2）C （ 3）C
C.耗尽型MOS管
（ 4）B
（ 5）AC
LD=。
二三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压
0+ Q+46 I人-0 D V 亍A rBL- 2 2
解：UOl~, UO2= 0, U)3Q — , UMQ 2V, UOQ, UOQ — 2VO
四、已知稳压管的稳压值 LZ= 6V,稳定电流的最小值lzmin= 5mA求图所 示电路中UOi和UO2各为多少伏。
-C3
V 2 D 2 0+ T
500 0
10V
10V
2kIlD %
2kU
L>l
解：UOi= 6V, UO2= 5VO
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率 试画出它的过损耗区
\\./mA 20 r - 15 r 10 RM= 200mW
3 mA 20
15 10
J 厂
fl 10 20 IIII 30 4(1 tfcv/V 10 20 30 40
叱 |
解：根据 Peg 200mW可得：UCE= 40V时 I c= 5mA UCE= 30V时 I c~, UCE= 20V时 I尸10mA LCE= 10V时Ic= 20mA将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解 图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。
六、电路如图所示，Vcc= 15V, B — 100， UBE=。试冋:
(1) R)= 50kQ时，Uo= (2) 若T临界饱和，贝U
% 饨
5kf2 ---- o
解:
1) R = 50kQ时，基极电流、集电 极电流和管压降分别为
VBB U BE
Rb
26
卩A
Ic
IB 2.6mA
I c Rc
U CE Vcc
2V
所以输出电压UO= UCE=
2V。
(2)设临界饱和时UCES= UBE=，所以
Vec U CES
Re
匕 28.6 A
VBB UBE2.86mA
45.4k
七?测得某放大电路中三个 MOS管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电 压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入 表内。
表
管号 T1 T2 T3 UGs(th)N 4 -4 -4 US/V -5 3 UGV 1 3 UD/V 工作状态 3 10 5 6 0 解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOSt。根据表中所示 各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表所示。
解表
管号 Ti T2
UGS（ th ） /V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区 T3 选择合适答案填入空内。
(1在本征半导体中加入 _______ 元素可形成N型半导体，加入 ________ 元
素可形成P型半导体。 A.五价 B.四 价 C.三价 (2) __________________________________________ 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 ____________________________________ 。
A.增大
B. 不变
C.减小
(3) 工作在放大区的某三极管，如果当I B从12卩A增大到22卩A时， I c从1mA变为2mA那么它的B约为 _________________ 。
A. 83
C. 100
B.
91
(4) 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导
gm将 ___________ 。 A.增大 B.不 变 C.减小
解：(1) A，C
(2) A (3) C (4) A
能否将的干电池以正向接法接到二极管两端为什么
解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 时，管子会因电流过大而烧坏。