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2015年华南理工大学923模拟电子技术基础和数字电子技术基础考研大纲 923模拟电子技术基础和数字电子技术基础考试大纲 一、考试目的

考查学生是否具备通信与信息工程、电子科学与技术等相关领域研究生所必要的模拟电子技术和数字电子技术的基本理论与分析设计方法。

二、考试的性质与范围

考试性质:笔试,通过适当比例的基本题、中等难度及较高难度题,考虑应试者对基本概念、基本知识掌握的能力,对运用基本理论知识分析设计电路的能力,以及应用基本理论知识解决实际问题的能力。考试范围

“模拟电子技术基础”部分:半导体二极管、三极管、场效应管与集成组件的工作原理、特性与参数,以及由这些器件、组件构成的各种放大电路和振荡电路的组成、工作原理、性能特点、电路的基本分析方法、工程计算方法和设计方法。

“数字电子技术基础”部分:数制和码制,逻辑代数基本知识,门电路基本特性,组合及时序逻辑电路,555定时器及应用,半导体存储器,ADC及DAC.

三、考试基本要求

考生应具备下述基本能力与综合素质: “模拟电子技术基础”部分

1.掌握模拟电子线路的基本概念、基本电路、基本原理、基本分析方法; 2.掌握分立器件与集成组件的基本特性、基本应用方法和基本计算方法等重要基础理论与技术;

3.具有分析电子线路的能力和由集成组件构成各类应用电路的设计能力和安装调试能力。

“数字电子技术基础”部分:

1.掌握数字电子技术的基本概念和基本知识; 2.掌握基本的逻辑电路分析及设计方法;

3.器件的基本特性,基本分析方法、应用方法及设计方法; 4.具有较强的知识拓展能力,能分析及设计较综合的逻辑电路。 四、考试形式

本考试采取基本题与分析设计应用题相结合,单项技能测试与综合技能测试相结合的方法。各项试题的分布情况见“考试内容一览表”。

五、考试内容(或知识点 ?“模拟电子技术基础”部分 第1章半导体器件

(1熟悉下列定义、概念及原理:自由电子与空穴,扩散与漂移,复合,空间电荷区,PN结,耗尽层,导电沟道;

(2掌握半导体二极管的单向导电性、伏安特性并熟悉二极管电流方程、主要参数与小信号模型,二极管的反向击穿特性与稳压管的稳压作用;

(3掌握BJT的工作原理及电流分配关系,BJT的伏安特性,三种工作状态(饱和、截止、放大的外部条件和特点,BJT的主要参数、小信号电路模型及其参数的计算;

(4理解增强型和耗尽型FET的工作原理、特性和主要参数,掌握FET的小信号电路模型及其参数。

第2章基本放大电路

(1掌握基本概念和定义:放大,静态工作点,饱和失真与截止失真,直流通路与交流通路,直流负载线与交流负载线,放大倍数(增益、输入电阻和输出电阻,最大不失真输出电压,静态工作点的稳定。

(2掌握基本放大电路的组成原则、工作原理及BJT、FET构成的三种基本组态放大电路的性能特点,放大电路的等效电路分析法(静态分析的估算法和动态分析的微变等效电路法,能正确分析计算各

类放大电路的静态工作点及交流指标、和;