内容发布更新时间 : 2024/9/20 6:04:06星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

1. 小于10-5Ω·cm；大于1014Ω·cm；10-～109Ω·cm。

2. 核辐射粒子射入PN结区后，通过与半导体的相互作用，损失能量产生电子-空穴对。在

外电场作用下，电子和空穴分别向两极漂移，于是在输出回路中形成信号，当电场足够强时，电子和空穴在结区的复合和俘获可以忽略时，输出信号的幅度与带电粒子在结区消耗的能量成正比。

3. 金硅面垒α半导体探测器；Ge（Li）探测器；Si（Li）探测器；HPGe探测器；HgI2探

测器；CdTe探测器；CdSe探测器。 4. 扩散型；面垒型；离子注入。

5. PN结加偏压的目的是：使得PN结的传导电流很小，相当于PN结二极管加上反向电压

的情况；内部工作机理是相当于加上反向偏压后P区中空穴从结区被吸引到接触点，相同的是，N区中的电子也向结区外移动，那么结区宽度就会变宽。 6. 电荷运动的瞬时涨落。

7. 记录到的脉冲数；入射到探测器灵敏体积内的γ光子数。

2

8.

ε

源

=

?·ε4?本征

9. 全能峰内的计数；源发射的γ光子数。

10. 前置放大器与探测器的连接方式有交流耦合和直流耦合两种；其中，交流耦合的优点是

探测器和前置放大器的直流工作点互相隔离，设计简单。缺点是由于探测器负载电阻和耦合电容的存在，增加了分布电容，使得噪声增加，能量分辨率变差。直流耦合的特点是消除了耦合电容和负载电阻对地的分布电容，有效地提高信噪比，对低能X射线的探测尤为重要。

11. 半导体探测器受强辐射照射一段时间以后性能会逐渐变坏，这种效应称为半导体探测器

的辐射损伤效应。辐射损伤是由于入射粒子通过半导体材料撞击原子产生填隙空位对引起的，它在半导体材料中形成的施主、受主、陷阱等可以作为俘获中心，从而降低载流子的寿命，影响载流子的收集，而且使电阻率发生变化，材料性能变化会使探测器性能变坏。

12. 半导体探测器的优点是：

A 电离辐射在半导体介质中产生一对电子、空穴所需能量大约比气体中产生一对电子、离子对少一个数量级，因而电荷数的相对统计涨落也就小很多，能量分辨率高； B 带电粒子在半导体中形成电离密度要比在气体中形成高大约3个数量级，因而具有高空间分辨和快时间响应的探测器。

C 测量电离辐射的能量时，线性范围宽。 半导体探测器的缺点是：

A 对辐射损伤效应灵敏，受强辐照后性能变差。

B 常用的Ge探测器，要在低温条件下工作，使用不便，限制了应用范围。