内容发布更新时间 : 2024/4/19 2:11:05星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
5.1.6 供电方案
VBAT
后备电路 1.8V-3.6V
供电开关
(32K振荡器,RTC, 唤醒电路, 后备寄存器)
OUT
IO
GP I/Os
逻辑 电路
核心电路 IN
(CPU,数字 VDD 电路 VDD 1/2/3/4/5
和存储器)
调压器
5 x 100nF + 1 x 4.7μF
Vss 1/2/3/4/5 VDD
VDDA
VREF
VREF+
10nF
+ 1μF
10nF 模拟电路:RC振
+ 1μF
VADC
REF-
荡器，PLL等
VSSA
图 10 供电方案
注：上图中的 4.7μF 电容必须连接到 VDD3。
5.1.7 电流消耗测量
IDD-VBAT
VBAT
IDD
VDD
VDDA
图 11 电流消耗测量方案
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5.2 绝对最大额定值
加在器件上的载荷如果超过绝对最大额定值列表(表 3，表 4，表 5)中给出的值，可能会导致器件永久 性地损坏。这里只是给出能承受的最大载荷，并不意味在此条件下器件的功能性操作无误。器件长期工作 在最大值条件下会影响器件的可靠性。
表 3 电压特性
符号 VDD – VSS
VIN |ΔVDDx| VESD(HBM)
描述
外部主供电电压(包含 VDDA 和 VDD)(1) 在 5V 容忍的引脚上的输入电压(2) 在其它引脚上的输入电压(2) 不同供电引脚之间的电压差 ESD 静电放电电压(人体模型)
最小值 -0.3 VSS -0.3 VSS -0.3
最大值 4.0 VDD +4.0 4.0 50 50
参见第 5.3.11 节
mV V 单位
|VSSX – VSS| 不同接地引脚之间的电压差
1．所有的电源(VDD, VDDA)和地(VSS, VSSA)引脚必须始终连接到外部允许范围内的供电系统上。
2． IINJ(PIN)绝对不可以超过它的极限(见表 4)，即保证 VIN 不超过其最大值。如果不能保证 VIN 不超过其最大值，也要保证在
外部限制 IINJ(PIN)不超过其最大值。当 VIN>VINmax 时，有一个正向注入电流；当 VIN 表 4 电流特性 符号 IVDD IVSS IIO 描述 经过 VDD/VDDA 电源线的总电流(供应电流)(1) 经过 VSS 地线的总电流(流出电流) (1) 任意 I/O 和控制引脚上的输出灌电流 任意 I/O 和控制引脚上的输出电流 5V 容忍引脚的注入电流 其他引脚的注入电流(4) 最大值 单位 150 150 25 -25 mA IINJ(PIN) (2)(3) -5/+0 ±5 ±25 ∑IINJ(PIN)(2) 所有 I/O 和控制引脚上的总注入电流(4) 1. 所有的电源(VDD，VDDA)和地(VSS，VSSA)引脚必须始终连接到外部允许范围内的供电系统上。 2. IINJ(PIN)绝对不可以超过它的极限，即保证 VIN 不超过其最大值。如果不能保证 VIN 不超过其最大值，也要保证在外部限 制 IINJ(PIN)不超过其最大值。当 VIN> VDD 时，有一个正向注入电流；当 VIN 4. 当几个 I/O 口同时有注入电流时，∑ IINJ(PIN)的最大值为正向注入电流与反向注入电流的即时绝对值之和。该结果基于在 器件 4 个 I/O 端口上∑ IINJ(PIN)最大值的特性。 表 5 温度特性 符号 TSTG TJ 描述 储存温度范围 最大结温度 数值 -65~+150 150 单位 °C °C 24 5.3 工作条件 5.3.1 通用工作条件 表 6 通用工作条件 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 fHCLK 内部 AHB 时钟频率 0 72 fPCLK1 内部 APB1 时钟频率 0 36 MHz fPCLK2 内部 APB2 时钟频率 0 72 VDD 标准工作电压 2 3.6 V 模拟部分工作电压(未使用 ADC) 必须与 VDD(2)相同 2 3.6 V DDA(1) 模拟部分工作电压(使用 ADC) 2.4 3.6 VBAT 备份部分工作电压 1.8 3.6 标准 I/O -0.3 VDD+0.3 VIN I/O 输入电压 FT I/O 2V -0.3 5.2 BOOT0 0 5.5 LQFP100 434 功率耗散 LQFP64 444 PD 温度标号 6：T =85°C 温度标号 7 ：T =105°C LQFP48 363 mW QFN36 1000 环境温度(温度标号 6) 最大功率耗散 -40 85 T低功率耗散(4) -40 105 A 环境温度(温度标号 7) 最大功率耗散 -40 105 低功率耗散(4) -40 125 °C T-40 105 J 结温度范围 温度标号 6 温度标号 7 -40 125 1. 当使用 ADC 时，参见表 43。 2. 建议使用相同的电源为 VDD 和 VDDA 供电，在上电和正常操作期间，VDD 和 VDDA 之间最多允许存在 300mV 的差别。 3. 如果 TA 较低，只要 TJ 不超过 TJ max(参见第 1 节)，则允许更高的 PD 数值。 4. 在较低的功率耗散的状态下，只要 TJ 不超过 TJmax(参见第 1 节)，TA 可以扩展到这个范围。 5.3.2 上电和掉电时的工作条件 下表中给出的参数是在一般的工作条件下测试得出。 25 表 7 上电和掉电时的工作条件 符号 tVDD 参数 VDD 上升速率 VDD 下降速率 条件 最小值 0 20 最大值 ∞ ∞ 单位 μs/V 5.3.3 内嵌复位和电源控制模块特性 下表中给出的参数是依据表 6 列出的环境温度下和 VDD 供电电压下测试得出。 表 8 内嵌复位和电源控制模块特性 符号 参数 条件 PLS[2:0]=000 (上升沿) PLS[2:0]=000 (下降沿) PLS[2:0]=001 (上升沿) PLS[2:0]=001 (下降沿) PLS[2:0]=010 (上升沿) PLS[2:0]=010 (下降沿) VPVD 可编程的电压 检测器 的电平选择 PLS[2:0]=011 (上升沿) PLS[2:0]=011 (下降沿) PLS[2:0]=100 (上升沿) PLS[2:0]=100 (下降沿) PLS[2:0]= 101 (上升沿) PLS[2:0]= 101 (下降沿) PLS[2:0]= 110 (上升沿) PLS[2:0]=110 (下降沿) PLS[2:0]=111 (上升沿) PLS[2:0]=111 (下降沿) VPVDhyst(2) VPOR/PDR VPVDhyst(2) PVD 迟滞 上电/掉电复 位阀值 PDR 迟滞 1 下降沿 上升沿 1.8(1) 1.84 最小值 2.10 2.00 2.19 2.09 2.28 2.18 2.38 2.28 2.47 2.37 2.57 2.47 2.66 2.56 2.76 2.66 典型值 2.18 2.07 2.28 2.17 2.38 2.27 2.47 2.37 2.57 2.46 2.67 2.56 2.77 2.66 2.86 2.76 100 1.87 1.92 40 2.5 4.5 1.96 2.0 最大值 2.26 2.16 2.37 2.27 2.48 2.38 2.58 2.48 2.69 2.59 2.79 2.69 2.90 2.80 3.00 2.90 单位 V V V V V V V V V V V V V V V V mV V V mV ms TRSTTEMPO(2) 复位持续时间 1. 产品的特性由设计保证至最小的数值 VPOR/PDR。 2. 由设计保证，不在生产中测试。 26 5.3.4 内置的参照电压 下表中给出的参数是依据表 6 列出的环境温度下和 VDD 供电电压下测试得出。 表 9 内置的参照电压 符号 VREFINT TS_vrefint(1) 参数 内置参照电压 当读出内部参照电压时， ADC 的采样时间 条件 -40°C < TA< +105°C -40°C < TA< +85°C 最小值 1.16 1.16 典型值 1.20 1.20 5.1 最大值 1.26 1.24 17.1(2) 单位 V V μs 1. 产品的特性由设计保证至最小的数值 VPOR/PDR。 2. 由设计保证，不在生产中测试。 5.3.5 供电电流特性 电流消耗是多种参数和因素的综合指标，这些参数和因素包括工作电压、环境温度、I/O 引脚的负 载、产品的软件配置、工作频率、I/O 脚的翻转速率、程序在存储器中的位置以及执行的代码等。 电流消耗的测量方法说明，详见图 11。 本节中给出的所有运行模式下的电流消耗测量值，都是在执行一套精简的代码，能够得到 Dhrystone2.1 代码等效的结果。 最大电流消耗 微控制器处于下列条件： ? 所有的 I/O 引脚都处于输入模式，并连接到一个静态电平上——VDD 或 VSS(无负载)。 ? 所有的外设都处于关闭状态，除非特别说明。 ? 闪存存储器的访问时间调整到 fHCLK 的频率(0~24MHz 时为 0 个等待周期，24~48MHz 时为 1 个等 待周期，超过 48MHz 时为 2 个等待周期)。 ? 指令预取功能开启(提示：这个参数必须在设置时钟和总线分频之前设置)。 ? 当开启外设时：fPCLK1 = fHCLK/2，fPCLK2 = fHCLK。 表 10、表 11 和表 12 中给出的参数，是依据表 5 列出的环境温度下和 VDD 供电电压下测试得出。 27