内容发布更新时间 : 2024/10/2 22:26:34星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

太阳能电池片工艺简介及厂房建设总结

本文章主要侧重于太阳能电池的生产工艺及厂房及建设探讨，欢迎批评指正。 一、工艺简介及设备环境要求

太阳能电池片生产工艺分为：制绒清洗（扩散前清洗）→扩散→扩散后清洗→刻蚀→PECVD→丝网印刷→烧结→分类检测→封装，以下就各工艺进行详细分析及说明。

?扩散前清洗的目的在于制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过强酸和强碱腐蚀，使其凸凹不平，变

得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。 相关设备有无锡瑞宝，德国RENA，深圳捷佳创。

所使用的介质有HF，HCL，HNO3，NaOH，Na2SiO3和乙醇等。

动力源有自来水，纯水，压缩空气，氮气，工艺冷却水，废水，热排风和酸排风。

制绒的流程：单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结

腐蚀制绒区环境要求：温度要求：23±2℃ 湿度要求：55±10%；十万级可满足车间要求。 不同设备厂家高度也不同RENA制绒设备的规格为7584*4540*3065，因此一般设计3.5~4米吊顶。 地坪采用>2mm环氧树脂即可，无防静电要求。 腐蚀制绒区排气（18个排气口）

排风量（PP or PVC）：普通漂洗排风3000m3/h+酸排4290m3/h+碱排450m3/h /台 有酸/碱废液，排放酸性约19m3/h,碱性液体约8m3/h 压缩空气6Bar，224NM3/h/台 管道采用不锈管 纯水：电子级1级，3.6m3/h/台 管道采用CL-PVC 自来水流量2.4m3/h,，平均0.06m3/h/台管道采用PPR

冷却循环水：供水压力5Bar，进水温度18℃，接口流量2.4m3/h/台管道不锈管。 RENA清洗机功率：19.5KW 捷佳创功率：90KW

?扩散的目的在于形成PN结。硅片含硼，是P型结物质，需要往里面掺杂磷，使电子发生移动，形成PN结

空穴。所使用的介质有POCL3，N2，O2。

使用的设备是高温扩散炉，厂商有SVCS，TEMPRESS，长沙48所等。 动力源有压缩空气，氮气，工艺冷却水，热排风和有机排风。

扩散的流程：太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。

扩散区环境要求：温度要求：23±2℃ 湿度要求：55±10%；扩散对环境要求稍微高一点，一般来说万级可满足车间要求，万级以上没有必要。 一般设计4米吊顶。

地坪采用2mm环氧树脂即可，无防静电要求。 扩散炉Tempress（操作区和炉区各3个排气口）

热气排风量（不锈钢）：1500m3/h/台 酸气排风量（建议采用特氟龙）：500m3/h/台 压缩空气7Bar，管道1/4” 管道采用不锈管

真空：18（in-Hg），接口管0.25in，流量：0.27m3/h/台

冷却循环水：供水压力5Bar，进水温度15-20℃，接口流量2.4m3/h/台管道不锈管。 扩散炉，每管可按40KW电热计算

?扩散后清洗的目的在于洗去扩散时形成的磷硅玻璃（此工艺也称为去PSG，去磷硅玻璃），即SiO和PO的

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混合物，所以扩散后清洗机又叫做去磷硅玻璃清洗机。

动力源有氮气，压缩空气，纯水，HF，热排风，酸排风，废水等。 设备有深圳捷佳创、RENA。

去PSG流程：该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有

磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。

?刻蚀的目的在于把硅片的边缘PN结断开，防止短路。目前国内所使用的设备几乎都是长沙48所的。动力源

有CF4，N2，NH3，热排风，有机排风。

等离子刻蚀流程：由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空系统抽出腔体。

扩散后清洗区环境要求：温度要求：23±2℃ 湿度要求：55±10%；十万级可满足车间要求。 设备的规格为7966*4540*3065，一般设计3.5~4米吊顶。 地坪采用2mm环氧树脂即可，无防静电要求。 扩散后清洗/刻蚀间（17个排气口）

排风量（PP or PVC）：普通漂洗排风3000m3/h+酸排4730m3/h+碱排450m3/h /台 有酸/碱废液，排放酸性约19m3/h,碱性液体约8m3/h 压缩空气6Bar，160NM3/h/台 管道采用不锈管 纯水：电子级1级，3.0m3/h/台 管道采用CL-PVC 自来水流量2.4m3/h,，平均0.06m3/h/台管道采用PPR

冷却循环水：供水压力5Bar，进水温度18℃，接口流量2.4m3/h/台管道不锈管。 RENA清洗机功率：19.5KW 捷佳创功率：90KW

?PECVD的目的在于镀氮化硅薄膜，增加折射率，同时掺杂H元素，使缺陷减少，还可以保护硅片。

所用设备有德国的ROTH&RAW平板式PECVD设备，还有CENTROTHERMO的管式PECVD设备。 动力源有SiH4，NH3，氮气，压缩空气，工艺冷却水，热排风，硅烷排风等。