内容发布更新时间 : 2024/6/2 15:23:40星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

本章练习题 一、单项选择题

1．P型半导体中的多数载流子是B ，N型半导体中多数载流子是 A 。

A．电子 B．宽穴 C．正离子 D．负离子

2．杂质半导体中少数载流子的浓度C 本征半导体中载流子浓度。

A．大于 B．等于 C．小于

3．室温附近，当温度升高时，杂质半导体中C 浓度明显增加。

A．载流子 B．多数载流子 C．少数载流子

4．硅二极管的正方向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管 B 。 A．大 B．小 C．相等

BA5．温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流 C 。 A．增大 B．减小 C．不变

6．工作在放大状态的晶体管，流入发射结的是 A 电流，流过集电结的是 B 电流。 A．扩散 B．漂移

7．当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：

NPN管的UC A UB A UE，PNP管的UC B UB B UE；工作在饱和区时iC B βiB；工作在截止区时，若忽略ICBO和ICEO，则iB C 0，iC C 0。 A．＞ Ｂ．＜ Ｃ．＝ 8．晶体管通过改变 A 来控制 C 。

A．基极电流 B．栅-源电压 C．集电极电流 D．漏极电流 E．电压 F．电流

9．晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成，因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。 A．一种载流子 B．两种载流子 C．大 D．小 10.空穴为少子的半导体称为___B_____,空穴为多子的半导体称为 A 。

A.P型半导体 B.N型半导体 C.纯净半导体 D.金属导体

11.已知整流二极管的反向击穿电压为20V,按通常规定，此二极管的最大整流电压为C 。 A. 20V B. 15V C. 10V D. 5V 二、填空题

1.物质按导电能力分为：导体 ， 半导体 和 绝缘体 。 2.常用的半导体材料有 硅 ，砷 和 锗 。

3.半导体的特点是 导电性能 随外界条件的改变有较大变化。

4.空穴也是一种载流子，但带正 电荷。 5.复合是激发 的反过程。

6.载流子的运动形式有两种：扩散 运动与 漂移 运动。 7.N型半导体中 电子为多数载流子，空穴 是少数载流子; P型半导体中 空穴为多数载流子，电子 是少数载流子; 8.本征半导体中掺入5价元素磷，成为 N型半导体；本征半导体中掺入3价元素硼，成为 P 型半导体； 9.载流子浓度差越大，扩散电流越 大 。

10.空间电荷区形成后，流过PN结的电流有两种：多数载流子形成的 集电极 电流和少数载流子形成的 放射极 电流。 11.当PN结外加正向电压（正向偏置）时，耗尽区变窄 ， 有 电流通过；而当外加反向电压（反向偏置）时，耗尽区变 宽 ， 没有电流流过或电流极小。

12.PN结的反向击穿又叫 热 击穿，分为 雪崩 击穿和 齐纳 击穿。

13.二极管用途： 整流 、 稳压 、 检波 、 开关 、 变容 。 14.齐纳二极管又叫 稳压管

15.二极管的主要参数之一反向峰值电流IRM，其值愈小，说明二极管的单向导电性能愈好。 三、判断题

1． 半导体中的空穴带正电。（ √ ）

2． 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（√ ） 3． P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ × ） 4． 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（ × ）