内容发布更新时间 : 2024/5/5 3:05:33星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
16. AA 是哪两个字的缩写? 简单说明 AA 的用途?
答：Active Area, 即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上
形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。
17. 在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？
答：①STI etch（刻蚀）的角度；
②STI etch 的深度；
③STI etch 后的CD尺寸大小控制。 (CD control, CD=critical dimension)
在STI 的形成步骤中有一道liner oxide（线形氧化层）, liner oxide 的特18.
性功能为何？
答：Liner oxide 为1100C, 120 min 高温炉管形成的氧化层，其功能为：
①修补进STI etch 造成的基材损伤；
②将STI etch 造成的etch 尖角给于圆化( corner rounding)。
① ②定义光阻1625?Nitride110?PAD Oxide1625?Nitride110?PAD OxideSubstrateSubstrate④填入氧化层HDP Oxide③进行蚀刻光阻5800?HDP1625?Nitride110?PAD Oxide200?Liner Oxide16250?Nitride110?PAD Oxide尺寸大小 一般深度為4000A~5000A圆化 ⑤STI CMPSubstrateSubstrate⑥去除SiN& Oxide完成STI>1400?Nitride110?PAD Oxide110?SAC Oxide角度 AA区SubstrateSubstrate要注意SiN 的remain 及HDP oxide 的loss 这里的SAC oxide 是在 SiN remove 及 pad oxide remove 后，再重新长过的 oxide
19. 一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤? 功能为何？
答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件
电子特性，一般包含下面几道步骤：
①Well Implant ：形成N,P 阱区；
②Channel Implant：防止源/漏极间的漏电； ③Vt Implant：调整Vt（阈值电压）。
20. 一般的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤?
答：一般包含下面几道步骤：
①光刻(Photo)及图形的形成；
②离子注入调整；
③离子注入完后的ash (plasma(等离子体)清洗) ④光刻胶去除（PR strip）
21. Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些?
答：①Gate oxide(栅极氧化层)的沉积；
②Poly film的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质)的沉积）；
③Poly 图形的形成(Photo)； ④Poly及SiON的Etch；
⑤Etch完后的ash( plasma(等离子体)清洗)及光刻胶去除（PR strip）；
⑥Poly的Re-oxidation（二次氧化）。
22. Poly（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方？
答：①Poly 的CD(尺寸大小控制；
②避免Gate oxie 被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.
23. 何谓 Gate oxide (栅极氧化层)?
答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的 gate oxide ,可调节栅极电压对
不同器件进行开关
栅极电压Gate(栅极)漏极电压Source源极Gate oxide栅极氧化层Substrate 基材基本(Device)器件 示意图Drain 漏极24. 源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?
答：①LDD的离子注入（Implant）；
②Spacer的形成；
③N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：Rapid Thermal Anneal)。
25. LDD是什幺的缩写? 用途为何?
答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏极, 以防止组
①②LDD离子植入件产生热载子效应的一项工艺。 PN-WellPPN-WellP
③形成Spacer④N+/P+高浓度离子植入PN-WellPP+N-WellP+26. 何谓 Hot carrier effect (热载流子效应)?
答：在线寛小于0.5um以下时, 因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,
导致载流子在移动时被加速产生热载子效应, 此热载子效应会对gate oxide造成破坏, 造成组件损伤。
27. 何谓Spacer? Spacer蚀刻时要注意哪些地方？
答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由
Ox/SiN/Ox组成。蚀刻spacer 时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)，及remain oxide(残留氧化层的厚度)
28. Spacer的主要功能?
答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;
②作为Contact Etch时栅极的保护层。
29. 为何在离子注入后, 需要热处理( Thermal Anneal)的工艺?
答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;