内容发布更新时间 : 2024/5/18 19:17:05星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

《电工及电子技术基础》复习资料模拟试题及答案

一、填 空: 本大题包括10小题～每小题2分～共计20分, 1(实际电压源的内阻越小，其特性越接接近于理想________源。 2(电路中电位参考点发生变化后，其它各点的电位_______________________ 。

3(在对称三相电路中，若负载作三角形连接，其相电流i=5sin(314t+60)A。则线电流 ABi=________________________A。

4(某正弦交流电压u的初相位为45?，在t=0时u=220V，则u的有效值为_______V。

5(若电源电压有效值保持不变，而电源频率提高时，R、C串联正弦交流电路的电流有效值将_________。

6(二极管最重要的特性是_________________。

7(三极管由放大状态变为截止状态后，电路中将出现的特征是________________。

8(某三极管发射结反偏，集电结也反偏时，此三极管的工作状态为_____________。

9(单相桥式整流电路，接负载R=100Ω，电源电压u=×20sinωtV，则负载电流的平均值I为2 L2L_____________。

10(基本R-S触发器，输入端R、S禁用的状态为________________。 二、单项选择题:,本大题包括16小题～每小题1.5分～共计24分, (选择唯一正确答案，并将其编号填入括号内。选错或未选均无分) 11(有一阻值为100kΩ的电阻与另一阻值为1kΩ的电阻并联后，再与一阻值为1kΩ的电阻串联，根据工程近似的的观点，它们并、串联后的等效电阻值为( )

A(0.5kΩ B(1kΩ C(2kΩ D(100kΩ

12(基尔霍夫电压定律、电流定律( ) A(与电路结构有关，与元件性质无关 B.与电路结构有关，与元件性质也有关 C(与电路结构无关，与元件性质有关 D.与电路结构无关，与元件性质也无关

13(直流电路如图1所示，E=15V，I=5A，R=5Ω，恒压源E的工作状况是( ) K A(发出功率75W B(吸收功率75W C(发出功率30W D(吸收功率30W

图2 题14电路图

14(R、L串联的正弦交流电路如图2所示，若u=5sin(ωt+10?)V，2R u=5sin(ωt+100?)V，则总电压u为( ) 2L A(5sin(ωt+45?)V B(10sin(ωt+55?)V C(5sin(ωt+110?)V D(10sin(ωt+70?)V

15(有关图3中所示电路电流的下列计算公式中，错误的是( ) I(( ,,,,UU图3 题15电路图CRA( B( C( D( j,CUUCRj,C1(R，)j,C

16(负载为?连接的三相对称电路，若每相负载有功功率为30W，则三相有功功率为( )

A(0 B(30W C(90W D(90W 33

17(三相异步电动机的电磁转矩T与( )

A(定子电流成反比 B(定子电压成正比 C(定子电压平方成反比 D(定子电压平方成正比

18(在掺杂半导体中，少数载流子的浓度主要取决于( )

A(杂质浓度 B(掺杂工艺 C(晶体缺欠 D(温度 19(PN结的空间电荷的组成是( )

A(正离子与电子 B(负离子与空穴 C(正离子与负离子 D(电子与空穴 20(PN结未加外部电压时，扩散电流与漂移电流是( )

A(只有扩散电流没有漂移电流 B(只有漂移电流没有扩散电流

C(扩散电流与漂移电流均存在，且前者大于后者 D(扩散电流与漂移电流均存在，且相等 21(锗二极管的死区电压约为( )

A(0.1 V左右 B(0.3 V左右 C(0.5 V左右 D(0.7 V左右

22(PNP型与NPN型三极管主要区别为( )

A(必需由两种不同材料(硅、锗)制造 B(必需掺杂不同的元素

C(N区与P区的位置安排不同 D(掺杂的浓度不同 1223(处于放大状态的三极管，其发射结(e结)及集电结(c结)的偏置情况为( )

A(c结反偏，e结正偏 B(c结正偏，e结反偏 图4 题28电路图C(c结正偏，e结正偏 D(c结反偏，e结反偏

24(对半导体三极管而言，不正确的说法是( ) A(三极管的参数β与温度有关 B(硅材料只能制造NPN型三极管

(三极关在放大状态时，e结为正偏，c结为反偏 C D(三极管的参数I与温度有关 CEO

25(单相桥式整流电路，交流电源U=20V，工作中突然发生一只二极管脱焊，则 输出电压U等于( ) L A(20V B(18V C(10V D(9V

26(表示基本触发器的置0端的文字符号为( ) __A(S B(R C(Q D( QDD 复习题答案