内容发布更新时间 : 2024/6/26 19:51:42星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
1硅单质是_A__。
A半导体 B导体 C绝缘体。
2只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是__C__。 A线缺陷 B面缺陷 C点缺陷 D体缺陷 3 下列是晶体的是__B__。 A玻璃 B硅 C松香 D塑料
4晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是__A__。 A固相生长 B液相生长 C气相生长
5在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以上。 A90% B92% C95% D97%
6对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__A. A低，好，多 B 低，好，少 C低，差，多 D高，好，多 7在工业生产中广泛用的是___C___。 A化学清洗 Brca清洗 C超声波清洗 8.半导体硅工业产品不包括__D__. ①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④ B.①②③④ C.②③④ D.③④ 9.硅片制备主要工艺流程是__A__。
A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包 D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包 10.下列说法错误的是__A__。
A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大 B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
1、 如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（ ）
A、 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长 B、 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长 C、 加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长 D、 加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长 2、 多晶硅的生产方法主要包含：（ ）
1、SiCl4法 2、硅烷法 3、流化床法 4、西门子改良法 5 、冶金法 6、气液沉淀法 7、重掺硅废料提纯法 A、1234 B、123 C、1456 D、4567 3、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（ ）
A、3 B、5 C、4 D、2 4、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（ ）
A、 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B、 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 C、 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包 D、 单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
5、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（ ）
A、分凝 B、蒸发 C、坩埚污染 D、损坏
6、属于晶体缺陷中面缺陷的是（ ）
A、 位错 B、螺旋位错 C、肖特基缺陷 D、层错
7、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率( )
A、越高 B、不确定 C 、越低 D、 不变 8、用能量（ ）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A 、低于 B 、等于或大于 C 、大于 D 、小于或等于
9、单晶硅晶胞常数为0.543nm,则（111）的面间距是多少？（ ）
A、 0.786nm B 、 0.543nm C 、0.941nm D、 0.543nm
10、简述光生伏特效应中正确的是（ ） A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子； C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
答案 A A B A D DC B C D
1、属于晶体缺陷中面缺陷的是（B）
A位错 B层错 C肖特基缺陷 D螺旋位错
2、单晶硅晶胞常数为0.543nm,则（111）的面间距是多少？（A） A 0.941nm B 0.543nm C 0.786nm D 0.543nm
3、用能量（B）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。 A 低于 B 等于或大于 C 大于 D 小于或等于
4、下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（D）
A加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长 B加料—→熔化—→缩颈生长—→等径生长—→放肩生长—→尾部生长 C加料—→熔化—→等径生长—→放肩生长—→缩颈生长—→尾部生长 D加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
5、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越 大，材料的电阻率(C)
A越高 B不确定 C 越低 D 不变
6、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（ A ） A、损坏 B、蒸发 C、坩埚污染 D、分凝
7、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（ D ）
A、6 B、2 C、4 D、5
8、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（ A ）
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包 单晶生长→整形→硅片检测→抛光→蚀刻→切片→晶片研磨及磨边→打包 9、多晶硅的生产方法主要包含：（ C ）
1)冶金法 2)硅烷法 3）重掺硅废料提纯法 4）西门子改良法 5）SiCl4法 6)气液沉淀法 7)流化床法
A、1234 B、123 C、2457 D、4567
10、在制造成的电池片效率上看，单晶的效率明优于多晶硅，单晶电池片的转化效率一般能超过百分之（A），而多晶在百分之十几 A 二十 B 十五 C 二十五 D 三十
1硅单质是_A__。
A半导体 B导体 C绝缘体。
2只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是__C__。 A线缺陷 B面缺陷 C点缺陷 D体缺陷 3 下列是晶体的是__B__。 A玻璃 B硅 C松香 D塑料
4晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是__A__。 A固相生长 B液相生长 C气相生长
5在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以上。 A90% B92% C95% D97%
6对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__A. A低，好，多 B 低，好，少 C低，差，多 D高，好，多 7在工业生产中广泛用的是___C___。 A化学清洗 Brca清洗 C超声波清洗 8.半导体硅工业产品不包括__D__. ①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④ B.①②③④ C.②③④ D.③④ 9.硅片制备主要工艺流程是__A__。
A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包 D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包 10.下列说法错误的是__A__。
A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大 B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 D.增大坩埚内径与晶体直径的比值
1.下列关于硅的说法不正确的是（ ）
A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体 B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料 C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应
D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应 2.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是（）
A.弗伦克尔缺陷 B.肖特基缺陷 C.位错 D.层错 3.其中不属于多晶硅的生产方法的是（）
A.SiCl4法 B.硅烷法 C.直拉法 D.西门子改良法 4.关于光生伏特效应叙述中错误的是（）
A用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结； B p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子； C非平衡载流子不破坏原来的热平衡；
D非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散； 5.下列说法错误的是（）
A调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大
B调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 D增大坩埚内径与晶体直径的比值
6. 硅材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压UD是（） A．0.2V B．0.7V C．-0.2V D．-0.7V
7.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？（） ①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶 A①② B.①②③④ C.②③④ D.③④ 8.半导体硅工业产品不包括（） ①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A①②④ B.①②③④ C.②③④ D.③④ 9、硅片制备主要工艺流程是（）
A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包 D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包 10、下列说法错误的是（）
A通常，在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择低些，可以缩短扩散时间，有利于生产
B晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方式进行切割
C直拉法生长单晶硅拉晶过程：籽晶熔接、引晶和缩颈、放肩、等径生长、收晶
D缩颈的主要目的：缩颈是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分
参考答案:CDCCABBDAA
1.改良西门子法的显著特点不包括（A）
A.高能耗 B成本低 C产量高 D质量稳定
2.制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（B） A.氧及其相关缺陷B.参杂浓度C。以间隙铁为主的过渡族金属杂质D材料中的缺陷密度及其分布
3.晶体缺陷不包含（B）
A.点缺陷B柱缺陷C。面缺陷D体缺陷 4.铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（D）
A.头尾料和锅底料中含有的氧B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧C石墨加热器与坩埚反应引入的氧D外界空气的进入 5.铸造多晶硅中氢的主要作用包括（ABC） A.钝化晶界B钝化错位C钝化电活性杂质 6.悬浮区熔的优点不包括（D）
A不需要坩埚B避免了容器污染C更易获得高纯度硅D成本低
7.CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（B）
A加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾 B加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾C加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾D加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾
8.热处理中氧沉淀的形态不包括（A）
A球状沉淀B片状沉淀C棒状沉淀D多面体沉淀
9.可用作硅片的研磨材料是（B）
A.AL2O3 B.MGO C. BA2O3 D.NACL 10.硅片抛光在原理上不可分为（C）
A.机械抛光法B.化学抛光法C手工抛光法.D.机械--化学抛光法
1、对于临界晶核，即与母相达成平衡，可以稳定存在的晶核来说，下列应该满足的条件是（ ) 答案：B
（1）、母相压强等于外压强 （2）、三个相的化学势相等 （3）、新相压强大于外压强 （4）、新相压强必须小于外压强 A、（1）、（2）、（4） B、（1）、（2）、（3） C、（4） D、（1）、（2）、（3）、（4）
2、一下哪一种属于金刚石结构（ ） 答案：A A.Si B.Cu C.Fe D.Al
3、下列不属于三氯氢硅性质的是（ ） 答案：C A、无色透明 B、易燃易爆 C、不易挥发和水解 D、有刺激性气味
4、下列不属于工业吸附要求的是（ ） 答案：C A.具有较大的内表面，吸附容量大
B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀 C.不易得，昂贵 D.容易再生