内容发布更新时间 : 2024/11/14 12:06:04星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

微机原理与接口技术（第二版） 清华大学出版社

MOV AH,4CH INT 21H CODE ENDS END START

13. 编写一个子程序，对AL中的数据进行偶校验，并将经过校验的结果放回AL中。 答：

JIOU PROC

PUSH CX PUSH BX XOR AH, AH PUSH AX MOV CL, 7

LOOP1: SAR AL, 1

ADC AH, 0 LOOP LOOP1 MOV AL, AH XOR AH, AH MOV BL, 2 DIV BL MOV BL, AH POP AX ROR BL, 1 OR AL, BL POP BX POP CX RET

JIOU ENDP

14. 利用上题的子程序，对80000H开始的256个单元的数据加上偶校验，试编

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程序。

CODE SEGMENT

ASSUME CS: CODE START : MOV AX, 8000H MOV DS, AX MOV SI, 0 MOV CX, 256 LP: MOV AL, [SI] CALL JIOU MOV [SI], AL INC SI LOOP LP MOV AH, 4CH INT 21H JIOU PROC

PUSH CX PUSH BX XOR AH, AH PUSH AX MOV CL, 7

LOOP1: SAR AL, 1

ADC AH, 0 LOOP LOOP1 MOV AL, AH XOR AH, AH MOV BL, 2 DIV BL MOV BL, AH POP AX ROR BL, 1 OR AL, BL

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POP BX POP CX RET JIOU ENDP CODE ENDS END START

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习题5

1. 试述DRAM的工作特点；与SRAM相比有什么长处和不足之处；说明它的使用场合。

答：DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。 而且是行列地址复用的，许多都有页模式。 SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且一般不是行列地址复用的。 与SRAM相比，DRAM价格便宜、速度慢、容量大，主要用来做主存储器，存储程序和数据；而SRAM主要用在Cache等对速度要求高的情况。

2. 试述DRAM刷新过程和正常读/写过程的区别。

答：刷新是以行为单位进行，且刷新过程中不能进行读写操作。

3. 设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问： （1） 该存储器能存储多少个字节的信息？

（2） 如果存储器由512K*8位SRAM芯片组成，需要多少片？ （3） 需要多少位作芯片选择？ 答：(1)该存储器能存储4MB的信息。 (2) 需要8片512K*8位的芯片。 (3) 需要1位做芯片选择。

4. 对于8K×8位RAM组成的存储器系统，若某组的起始地址为08000H，则其末地址为多少？ 答：末地址为9FFF.

5. 在8088最大方式系统总线上扩充设计4K字节的SRAM存储器电路。SRAM芯片选用Intel 2114，起始地址从0000H。试画出此存储器电路与系统总线的连接图。

答：系统容量为 4K*8bit，芯片容量为1K*4bit，所以一共需要8片芯片 连接图如下：

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6. 在8088系统总线上扩充设计8K的字节的SRAM存储器电路。SRAM芯片选用Intel 6264，起始地址从04000H开始，译码器电路74LS138. （1） 计算此RAM存储区的最高地址是多少。 （2） 画出此存储器电路与系统总线的连接图。 答：（1）最高地址是05FFFH。 （2）

7. 在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路，SRAM

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