微机原理与接口技术(第二版)清华大学出版社 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/5/9 4:45:54星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

INT 21H CODE ENDS END START

13. 编写一个子程序,对AL中的数据进行偶校验,并将经过校验的结果放回AL中。 答:

JIOU PROC

PUSH CX PUSH BX XOR AH, AH PUSH AX MOV CL, 7

LOOP1: SAR AL, 1

ADC AH, 0 LOOP LOOP1 MOV AL, AH XOR AH, AH MOV BL, 2 DIV BL MOV BL, AH POP AX ROR BL, 1 OR AL, BL POP BX POP CX RET

JIOU ENDP

14. 利用上题的子程序,对80000H开始的256个单元的数据加上偶校验,试编程序。

CODE SEGMENT

ASSUME CS: CODE START : MOV AX, 8000H MOV DS, AX MOV SI, 0 MOV CX, 256 LP: MOV AL, [SI] CALL JIOU MOV [SI], AL INC SI LOOP LP MOV AH, 4CH INT 21H JIOU PROC

PUSH CX PUSH BX XOR AH, AH PUSH AX MOV CL, 7

LOOP1: SAR AL, 1

ADC AH, 0 LOOP LOOP1 MOV AL, AH XOR AH, AH MOV BL, 2 DIV BL MOV BL, AH POP AX ROR BL, 1 OR AL, BL POP BX

POP CX RET JIOU ENDP CODE ENDS END START

习题5

1. 试述DRAM的工作特点;与SRAM相比有什么长处和不足之处;说明它的使用场合。

答:DRAM,动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。 而且是行列地址复用的,许多都有页模式。 SRAM,静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且一般不是行列地址复用的。 与SRAM相比,DRAM价格便宜、速度慢、容量大,主要用来做主存储器,存储程序和数据;而SRAM主要用在Cache等对速度要求高的情况。

2. 试述DRAM刷新过程和正常读/写过程的区别。

答:刷新是以行为单位进行,且刷新过程中不能进行读写操作。

3. 设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问: (1) 该存储器能存储多少个字节的信息?

(2) 如果存储器由512K*8位SRAM芯片组成,需要多少片? (3) 需要多少位作芯片选择? 答:(1)该存储器能存储4MB的信息。 (2) 需要8片512K*8位的芯片。 (3) 需要1位做芯片选择。

4. 对于8K×8位RAM组成的存储器系统,若某组的起始地址为08000H,则其末地址为多少? 答:末地址为9FFF.

5. 在8088最大方式系统总线上扩充设计4K字节的SRAM存储器电路。SRAM芯片选用Intel 2114,起始地址从0000H。试画出此存储器电路与系统总线的连接图。

答:系统容量为 4K*8bit,芯片容量为1K*4bit,所以一共需要8片芯片 连接图如下:

6. 在8088系统总线上扩充设计8K的字节的SRAM存储器电路。SRAM芯片选用Intel 6264,起始地址从04000H开始,译码器电路74LS138. (1) 计算此RAM存储区的最高地址是多少。 (2) 画出此存储器电路与系统总线的连接图。 答:(1)最高地址是05FFFH。 (2)

7. 在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路,SRAM芯片选用Intel 6264,起始地址从04000H开始,译码器电路采用74LS138.