半导体的基本能带结构 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/11/5 5:08:23星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

第七章 半导体电子论 半导体材料 —— 一种特殊的固体材料 固体能带理论的发展 —— 半导体的研究起到了推动作用 半导体材料与技术的应用发展 —— 固体物理研究的深度与广度产生了推进作用 电子的运动是多样化的 半导体材料性质与杂质、光照、温度和压力等因素有密切关系 半导体物理的研究—— 进一步揭示材料中电子各种形式的运动 —— 阐明电子运动的规律07_01 半导体的基本能带结构—— 一般温度下,热激发使价带顶部有少量的空穴导带底部有少量的电子电子和空穴是载流子 —— 决定了半导体导电能力 1 半导体的带隙 本征光吸收 —— 光照将价带中的电子激发到导带中 形成电子

— 空穴对 光子能量满足 2

cEg

长波极限

0

2c

Eg —— 本征吸收边,发生本征光吸收的最大光的波长征边附近光的跃迁 2 本1) 竖直跃迁 —— 直接带隙半导体