内容发布更新时间 : 2024/6/29 3:28:46星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

—— 非竖直跃迁过程中 —— 光子提供电子跃迁所需的能量 Ek k '

k q —— 声子提供电子跃迁所需的动量

非竖直跃迁 —— 二级过程，发生几率比起竖直跃迁小得多间接带隙半导体 —— 带隙宽度为零 本征光吸收 电导率随温度的变化—— 零带隙半导体 带隙宽度的测量 电子－空穴对复合发光本征光吸收的逆过程 —— 导带底部的电子跃迁 到价带顶部的空能级 发出能量约为带隙宽 度的光子 3 带边有效质量 半导体基本参数之一 —— 导带底附近电子的有效质量 价带顶附近空穴的有效质量 将电子能量 按极值波矢 展开 E k( )[0 处，能量具有极值E k( )] (k k ( ) k k0 0) i31[2ki E k( )] (k i k ki E k 120i 20)在极值电子能量 0 Ek() 12(

Ek () 1 2E

kx2 ) (k0x kx

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kEy2 ) (k0y ky 2 k0x) k0y)2 2(