内容发布更新时间 : 2024/5/4 0:00:42星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

但是，由于PDM S具有弹性，在操作过程中产生的拉伸易于使石墨烯产生一定量的微裂纹。所以，该方法对操作技能具有较高要求，因而并未得到广泛使用。

图7 石墨烯从SD2/Si基体到其他任意基体的转移；和分别为原始SD2/Si基体上的转移后SD2/Si基体上石墨烯的光学照片；

热释放胶带是最近采用的新型石墨烯转移介质。其特点是常温下具有一定的粘合力，在特定温度以上，粘合力急剧下降甚至消失，表现出“热释放”特性。基于热释放胶带的转移过程与上述的PVI M A转移方法类似，主要优点是可实现大而积石墨烯向柔性日标基体的转移(如PET )，工艺流程易于标准化和规模化，有望在透明导电薄膜的制备方而首先获得应用，如韩国成均馆大学的研究者采用该方法成功实现了30英寸石墨烯的转移(图10)。该方法中的“热滚压”技术是实现完整转移关键步骤，相比于“热平压”具有更佳的转移效果。然而，“热滚压”技术日前不适用于脆性基体上的转移，例如硅片、玻璃等，因此限制了该方法的应用范围。

图8 腐蚀基体法转移CVD生长的石墨烯的示意图

此外，无转移介质的“腐蚀基体法”由于其工艺过程更简单，也得到了一定的发展。由于少层石墨烯的强度相比于单层石墨烯更高，因此可以采用该方法对CVD生长的少层石墨烯进行转移。此外，这种方法还适用于小而积、单层石墨烯向特定基体的转移，比如转移到TEM的铜微栅上作为碳膜。但是，其转移的完整度和可靠性还无法与典型的“腐蚀基体法”相比，应用的局限性也很大。

图9 采用PDM S从Ni膜上转移石墨烯的示意图

尽管石墨烯的技术有了很大的发展，但目前采用的“腐蚀基体法”以牺牲生长基体作为代价，对石墨烯的规模化应用不利，并目在转移大而积石墨烯的结构完整、无污染、工艺稳定等方而仍待提 高。另外，除近期发展的采用多晶Ni,Cu作为基体CVD生长石墨烯外，单晶Ni,Co,Pt,Ir,Ru等很早-就被用作CVD生长石墨烯的基体，并目_采用这些基体有可能得到大尺寸的单晶石墨烯。由于单晶基 体价格昂贵，加之Ru, Pt等贵金属比较难于腐蚀，因此“腐蚀基体法”并不适用转移此类石墨烯。实现单晶表而石墨烯的完整转移具有更大的难度，极具挑战性。而相应的研究目前仍缺乏进展，这也制约 了单晶石墨烯的研究。 5结语

石墨烯是在2004年发现的炭材料家族中的新成员，具有独特的

物理性质和广阔的应用前景。由于在石墨烯方而的开创性实验研究，其发现者A.K.G ei m和K.S.Novoselov荣获了2010年I变诺贝尔物理学奖。作为石墨烯研究的基础，石墨烯的制备一直备受关注，其研究的进展也非常迅速。从最早的胶带剥离法，到随后的Sf单晶外延生长法、化学剥离法，直至CVD方法，始终围绕着实现石墨烯 这一奇特材料的应用而不断地改进和发展。从早期的物性研究，到现在作为能源材料在钾离子电池、超级电容器，作为电子学材料在晶体管、射频器件，作为力性、电性增强体在复合材料，尤其是透明导电薄膜中的使用，石墨烯愈发焕发出迷人的魅力。在未来实现石墨烯应用的过程中，CVD方法将会发挥越来越重要的作用，不仅仅局限于目前二维石墨烯薄膜的制备，而目_还可以用于一维石墨烯带和二维石 墨烯宏观体的制备，从而大大拓宽石墨烯的应用领域。有理由相信，在不久的将来基于CVD法制备的石墨烯的微处理器、电池、显小器及柔性电子器件将走进人们的生活。