内容发布更新时间 : 2024/5/2 11:36:14星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
单项选择题：
第1章 原子结构与键合
1. 高分子材料中的C-H化学键属于 。 （A）氢键 （B）离子键 （C）共价键 2. 属于物理键的是 。 （A）共价键 （B）范德华力 （C）离子键 3. 化学键中通过共用电子对形成的是 。 （A）共价键 （B）离子键 （C）金属键 第2章 固体结构
4. 面心立方晶体的致密度为 。 （A）100% （B）68% （C）74% 5. 体心立方晶体的致密度为 。 （A）100% （B）68% （C）74% 6. 密排六方晶体的致密度为 。 （A）100% （B）68% （C）74% 7. 以下不具有多晶型性的金属是 。 （A）铜 （B）锰 （C）铁
8. fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是 。 （A）fcc （B）bcc （C）hcp
9. 以下元素中一般与过渡金属容易形成间隙相的元素是 。 （A）氢 （B）碳 （C）硼
10. 与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是 。 （A）氮 （B）碳 （C）硼
11. 面心立方晶体的孪晶面是 。 （A）{112} （B）{110} （C）{111} 12. 以下属于正常价化合物的是 。 （A）Mg2Pb （B）Cu5Sn （C）Fe3C
第3章 晶体缺陷
13. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为 。 （A）肖特基缺陷 （B）弗仑克尔缺陷 （C）线缺陷
14. 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为 。 （A）肖脱基缺陷 （B）Frank缺陷 （C）堆垛层错 15. 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是？
（A）垂直 （B）平行 （C）交叉
16. 的位错线与滑移矢量必然相互平行。 （A）刃型位错 （B）螺型位错 （C）混合位错 17. 能进行攀移的位错必然是 。 （A）刃型位错 （B）螺型位错 （C）混合位错 18. 以下材料中只存在晶界、不存在相界的是 （A）孪晶铜 （B）中碳钢 （C）亚共晶铝硅合金
19. 在硅、镉等晶体中可观察到 这种主要的位错增殖机制。 （A）交滑移增殖 （B）弗兰克-里德源 （C）攀移增殖 20. 小角度晶界两端晶粒的位向差通常小于 度。
（A）2 （B）3 （C）10 21. 大角度晶界具有____________个自由度。
（A）3 （B）4 （C）5
第4章 固体中原子及分子的运动
22. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随 变化。 （A）距离 （B）时间 （C）温度 23. 在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为 。 （A）原子互换机制 （B）间隙机制 （C）空位机制 24. 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是 （A）间隙机制 （B）空位机制 （C）交换机制
25. 原子扩散的驱动力是 。 （4.2非授课内容） （A）组元的浓度梯度 （B）组元的化学势梯度 （C）温度梯度
26. A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则 。 （A）A组元的扩散速率大于B组元 （B）B组元的扩散速率大于A组元 （C）A、B两组元的扩散速率相同
27. 下述有关自扩散的描述中正确的为 。 （A）自扩散系数由浓度梯度引起 （B）自扩散又称为化学扩散 （C）自扩散系数随温度升高而增加
第5章 材料的形变和再结晶
28. 在弹性极限?e范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为 （A）包申格效应 （B）弹性后效 （C）弹性滞后 29. 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是
（A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向 （B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向 （C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向
30. bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，_________具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料
塑性最差。 （A）bcc （B）fcc （C）hcp 31. ，位错滑移的派-纳力越小。 （A）位错宽度越大 （B）滑移方向上的原子间距越大 （C）相邻位错的距离越大
32. Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：
（A）溶质原子再扩散到位错周围 （B）位错增殖的结果 （C） 位错密度降低的结果 33. 已知Cu的Tm=1083?C，则Cu的最低再结晶温度约为 。 （A）200?C （B）270?C （C）350?C
34. 已知Fe的Tm=1538?C，则Fe的最低再结晶温度约为 。 （A）350?C （B）450?C （C）550?C
35. 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。 （A）回复 （B）再结晶 （C）晶粒长大
36. 形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在 。 （A）回复阶段 （B）再结晶阶段 （C）晶粒长大阶段
37. 形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是 。 （A）点缺陷的明显下降 （B）形成亚晶界 （C）位错重新运动和分布
38. 由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在___________部位不易形核。 （A）大角度晶界和孪晶界 （B）相界面 （C）外表面 39. 纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在以下位置首先发生再结晶形核 （A）小角度晶界 （B）孪晶界 （C）外表面
40. 对于变形程度较小的金属，其再结晶形核机制为 。 （A）晶界合并 （B）晶界迁移 （C）晶界弓出
41. 再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着
______________方向移动 （A）曲率中心 （B）曲率中心相反 （C）曲率中心垂直 42. 开始发生再结晶的标志是： （A）产生多变化
（B）新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织 （C）晶粒尺寸显著增大
43. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于 。 （A）复合强化 （B）析出强化 （C）固溶强化 44. 在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于 。 （A）复合强化 （B）析出强化 （C）固溶强化 45. 在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于 。 （A）复合强化 （B）晶粒细化 （C）固溶强化
第6章 单组元相图及纯晶体的凝固
46. 凝固时在形核阶段，只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心，当形成的核胚半径
等于临界半径时，体系的自由能变化 。 （A）大于零 （B）等于零 （C）小于零
47. 以下材料中，结晶过程中以非小平面方式生长的是 。 （A）金属锗 （B）透明环己烷 （C）氧化硅
48. 以下材料中，结晶过程中以小平面方式生长的是 。 （A）金属锗 （B）铜镍合金 （C）金属铅 49. 氧化物晶须通常是以 方式结晶长大的。 （A）连续长大 （B）二维形核生长 （C）借螺型位错生长
50. 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的 。 （A）1/3 （B）2/3 （C）1/4
51. 铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时，则固态显微组织主要为 。 （A）树枝晶 （B）柱状晶 （C）胞状晶
52. 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的2/3，不足的需要依靠液相的 来补
充。
（A）结构起伏 （B）能量起伏 （C）温度梯度 53. 金属液凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法？
（A）加入形核剂 （B）减小液相过冷度 （C）对液相实施搅拌 54. 金属液凝固时可有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法？ （A）加入形核剂 （B）减小液相过冷度 （C）增大铸件壁厚
第7章 二元系相图及其合金的凝固
55. 对离异共晶和伪共晶的形成原因，下述说法正确的是 。 （A）离异共晶只能经非平衡凝固获得 （B）伪共晶只能经非平衡凝固获得 （C）形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分
56. 在二元系合金相图中，计算两相相对量的杠杆法则用于 。 （A）单相区中 （B）两相区中 （C）三相平衡水平线上 57. 二元系合金中两组元部分互溶时，不可能发生 。 （A）共晶转变 （B）匀晶转变 （C）包晶转变 58. 以下恒温转变中属于共晶式的是 。 （A）包析转变 （B）偏晶转变 （C）合晶转变 59. 以下恒温转变中属于包晶式的是 。 （A）偏晶转变 （B）熔晶转变 （C）合晶转变 60. 任一合金的有序结构形成温度 无序结构形成温度。 （A）低于 （B）高于 （C）可能低于或高于 61. 以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是 。 （A）共价键 （B）离子键 （C）金属键
多项选择题：
第1章
1. 以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是 。 （A）共价键 （B）离子键 （C）氢键 （D）金属键 （E）范德华力 第2章
2. 为了最能反映点阵的对称性，选取晶胞的原则包括 。 （A）选取的平行六面体应与宏观晶体具有同样的对称性； （B）平行六面体内的边长尽可能相等；
（C）平行六面体内的棱和角相等的数目应最多；
（D）当平行六面体的棱角存在直角时，直角的数目应最多； （E）在满足上条件，晶胞应具有最小的体积。 A、C、D、E
3. 晶体区别于其它固体结构的基本特征有 。 （A）原子呈周期性重复排列 （B）长程有序 （C）具有固定的熔点（D）各向同性 各向异性
4. 具有相同配位数和致密度的晶体结构是 。 （A）面心立方 （B）体心立方 （C）简单立方 （D）底心立方 （E）密排六方
5. 以下具有多晶型性的金属是 。
E）（
（A）铜 （B）铁 （C）锰 （D）钛 （E）钴
6. 以下 等金属元素在常温下具有密排六方晶体结构。 （A）镁 （B）锌 （C）镉 （D）铬 （E）铍
7. 铁具有多晶型性，在不同温度下会形成 等晶体结构。 （A）面心立方 （B）体心立方 （C）简单立方 （D）底心立方 （E）密排六方 第3章 晶体缺陷
8. 晶体中点缺陷的形成原因有 。 （A）温度起伏 （B）高温淬火 （C）冷变形加工 （D）高能粒子辐照 （E） 掺杂
9. 晶体缺陷中属于面缺陷的有 。 （A）层错 （B）外表面 （C）孪晶界 （D）相界 （E）空位
第4章 固体中原子及分子运动
10. 影响扩散的主要因素有 。 （A）温度 （B）固溶体类型 （C）晶体结构 （D）晶体缺陷 （E）化学成分
第6章
11. 关于均匀形核，以下说法正确的是 。
（A）体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二 （B）非均匀形核比均匀形核难度更大 （C）结构起伏是促成均匀形核的必要因素 （D）能量起伏是促成均匀形核的必要因素 （E）过冷度△T越大，则临界半径越大
12. 以下说法中， 说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。 （A）非均匀形核所需过冷度更小 （B）均匀形核比非均匀形核难度更大
（C）一旦满足形核条件，均匀形核的形核率比非均匀形核更大 （D）均匀形核试非均匀形核的一种特例
（E）实际凝固过程中既有非均匀形核，又有均匀形核
13. 晶体的长大方式有 。
（A）连续长大 （B）不连续长大 （C）平面生长 （D）二维形核生长 （E）螺型位错生长 14. 控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有 。
（A）加入形核剂 （B）减小液相过冷度 （C）增大液相过冷度（D）增加保温时间（E）施加机械振动
第7章
15. 二元相图中，属于共晶方式的相转变有 。
（A）共晶转变 （B）共析转变 （C）偏晶转变 （D）熔晶转变 （E）合晶转变
16. 二元相图中，属于包晶方式的相转变有 。
（A）包晶转变 （B）包析转变 （C）合晶转变 （D）偏晶转变 （E）熔晶转变
17. 二元相图必须遵循以下几何规律： 。 （A）相图中的线条代表发生相转变的温度和平衡相的成分