内容发布更新时间 : 2024/11/15 17:49:19星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

VIA45 FILL 73 0 VIA45 VIA 73 0 VIA45 VIAFILL 73 0 VIA56 FILL 74 0 VIA56 VIA 74 0 VIA56 VIAFILL 74 0

******************END of MAP文件*********************************

***************charter0.35 MAP文件************************************ metal NET 16 0 metal SPNET 16 0 metal PIN 16 0 metal LEFPIN 16 0 metal FILL 16 0 metal VIA 16 0 metal VIAFILL 16 0 metal LEFOBS 16 0 NAME metal/NET 16 0 NAME metal/SPNET 16 0 NAME metal/PIN 16 0 NAME metal/LEFPIN 16 0 via FILL 17 0 via VIA 17 0 via VIAFILL 17 0 metal2 NET 18 0 metal2 SPNET 18 0 metal2 PIN 18 0 metal2 LEFPIN 18 0 metal2 FILL 18 0 metal2 VIA 18 0 metal2 VIAFILL 18 0 metal2 LEFOBS 18 0

NAME metal2/NET 18 0 NAME metal2/SPNET 18 0 NAME metal2/PIN 18 0 NAME metal2/LEFPIN 18 0 via2 FILL 27 0 via2 VIA 27 0 via2 VIAFILL 27 0 metal3 NET 28 0 metal3 SPNET 28 0 metal3 PIN 28 0 metal3 LEFPIN 28 0 metal3 FILL 28 0

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metal3 VIA 28 0 metal3 VIAFILL 28 0 metal3 LEFOBS 28 0

NAME metal3/NET 28 0 NAME metal3/SPNET 28 0 NAME metal3/PIN 28 0 NAME metal3/LEFPIN 28 0

******************END of MAP文件*********************************

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24 版图验证——导入ICFB（异）

目的：

由于drc&lvs的需要，需要把由Encounter导出的gds2文件和工艺库中提供的gds2文件一起倒入icfb。

1 HEJIAN18

操作：

Step 1 unix环境下直接键入icfb启动软件

Step 2 首先选择Tools?library manager建立新的库用来分别存放工艺库相关和设计相关，

建议建3个库，一个放标准单元的库hejian18.gds2，一个放io库

arti_HEJ018_io3v5v_6lm.gds2，一个放设计tag_with_pads.gds。每次只需要更新设 计库，工艺库不用去动它。

Step3 File?Import?stream，导入以上3个gds2文件

在弹出的选单中正确填写各项内容

input file——由Encounter导出的gds2文件

top cell name——顶层module名，也可以不写。 Library name——之前在library manager中为设计文件建立的设计库文件名

Fig 6.1 WRoute对话窗口

Step 4 用Tools?library manager，选中import的设计layout，双击用Virtuoso打开 版图。

Step 5 Virtuoso相关设置需要做以下修改：（为使版图看得舒服漂亮）

Options -> Display

(1) X snap Spacing：0.005 Y snap Spacing：0.005

注意这里的snap spacing要根据drc规则来改，否则会有offgrid （2）Snap Models： diagonal

（3）Display Levels: Start: 0 Stop:32

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Step 6 打label

LVS时候，一是要在IOPAD 和 电源PAD上以及电源环上要打label ，这里是 ss_out, err, rst, pie_data_in,. clk 以及 VDD，GND， DVDD， DVSS 9个IO pad，label打在PAD外端的方块和内部长方形之间的窄带金属。这9个即电路的port。

注意打完label后按Q修改属性，把Layer改成相应金属的_CAD TT。

补充说明：、

1. 如果没有PAD只需要在电源环上打label。因为pin的名字会通过map文件导出来。 2. 在使用过程中，用了专门为umc工艺配置的环境UMC_180_CMOS_FDK_V2.5P1.tar.gz，在解压后的文件夹中直接运行icfb，可以无需导入工艺文件配置环境

3. 如果修改了gds2文件，要重新导入，建议首先从library manager中将原有设计删除，这一点非常重要！！！！！不然会出莫名的错误。

4. 在导入由encounter得到的gds文件时，一定要选中option中的Retain Reference Library(No Merge)；在导入其它gds文件和导出gds文件时，一定不能选中此项！！

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2 SMIC18

1． 将/data3/library/smic18/EEPROM/PDK/Smic18ee.gz 解压，建立工作环境。并将stream

文件夹里面的streaminMap文件修改：将 GT 30 改为GP 30。

2． 将/data3/library/smic18_artisan_fb/aci/sc-x/gds2 里面的文件复制到当前文件夹下，并导

入smic18.gds2文件

在streamin 的时候，要在user define options选项中，layer May table中导入

stream/streaminMap

3． 在相同的library下导入encounter产生的gds2文件，并在管脚上打label，注意电源和地的label是：VSS 和VDD.

3 charter0.35

Soc encounter完成的版图必须进行层转换以及通过Hercules进行版图处理（压缩poly尺寸，扩大via尺寸等）后才能进行drc和lvs。具体步骤如下： 一：在一个包含charter0.35um旧工艺的tf文件的文件夹中 1. 将encounter导出的gds（ci.gds）和厂家提供的库gds导入icfb中相同的库中，比如charter1 2. 将设计的顶层ci从库中导出新的gds文件，比如ci01.gds 3．修改cb35l4_10_csm_dtp.ev 文件中的INLIB,OUTLIB,BLOCK,OUTBOLCK（这一步目的是对库中的元素进行适当的修改，比如压缩poly尺寸，扩大via尺寸等，这一步比较重要，一定要正确跑通），通过命令hercules cb35l4_10_csm_dtp.ev 将ci01.gds导出为ci02.gds 4. 将ci02.gds导入icfb中新建的库（比如ci02） 5 .将ci02库中的ci导出为ci03.gds，map文件为after_hercules_map（将层转换为旧工艺下的tf对于的图层） 6 将ci03.gds导入icfb中新建库ci03，此时填入旧工艺的tf文件，这时为旧的tf文件对应的版图 7. 将ci03中的ci导出为ci04.gds，map文件为oldtf_newtf_map（将层转换为新的tf下对应的图层，因为新的tf文件下没有label层，所以这一步可以不映射label层） 二：在包含charter0.35um新工艺的tf的文件夹中 8. 在新的文件夹（包含新的tf）中启动icfb，导入ci04，顶层ci，填入tf文件，这时为新tf下对应的版图 9. 接下来做drc，应该会只有很多poly offgrid，可以忽略

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