内容发布更新时间 : 2024/12/27 23:34:01星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

标志CF清“0”、置 “1”和取反操作。 2） 同步控制指令：多处理器系统 (1) ESC外部操作码，源操作数 (2) WAIT (3) LOCK

3）其他控制指令

(1) HLT 暂停指令，当CPU发生复位或来自外部的中断时，CPU脱离暂停状态。 (2) NOP 空操作指令，占用3个时钟周期的时间（IP+1），常用来作延时。 五、8086编程基础

汇编语言是用指令的助记符、符号地址、标号等书写程序的语言,简称符号语言。 1.汇编语言格式 （1）指令分类

汇编语言有3种基本语句：指令语句、伪指令语句、宏指令语句 。

指令语句是一种执行性语句,它在汇编时,汇编程序将为之产生一一对应的机器目标代码。

伪指令语句是一种说明性语句，它在汇编时只为汇编程序提供进行汇编所需要的有关信息，如定义符号，分配存储单元，初始化存储器等，而本身并不代表生成目标代码。不执行，翻译时用。

宏指令语句是以某个宏名字定义的一段指令序列。宏指令可以有多段，子程序有一段。 （2）语句格式 1）指令语句格式

[标号：][前缀] 指令助记符 [操作数表] [;注释] 2)伪指令语句的格式

［名字］伪指令［参数表］［;注释］ （3）汇编语言的语法

段定义伪指令指示汇编程序应如何按段来组织程序和使用存储器。 汇编程序3种设计结构：顺序结构、分支结构、循环结构。 2.汇编语言编程运行环境 第五章 存储器 一、存储器的结构 1.基本概念

① 位 (bit)：信息量单位，每一个0或1就叫做1位信息。 ② 字节 (byte)：存储量单位，8位二进制代码作为一个字节。 ③ 字 (word)：2个字节组成一个字，标识16位数据的长度。

④ 字长：计算机一次处理数据的位数（存储器，寄存器）。字长是随计算机发展变化的（8086型字长=16位）。

⑤地址：每个单元的编号，各存储单元的地址与该地址中存放的内容完全不同。 物理地址（20位，220=1024K=1M）=段地址*10H+偏移地址

逻辑地址（16位，216=64K）=段地址（16位）：偏移地址（16位） ⑥ 存储单元：每个单元存储8位二进制信息，即字长为8位。 ⑦字地址：低地址单元的地址作为低地址，偶数。 ⑧段：分段方法：段起始地址（段基址），段长简化问题。 2.8086存储器管理方式

1）存储器信息分类管理：程序信息，数据信息，保护（堆栈）信息。

2）存储器空间分段使用：将内存空间分成若干个逻辑段使用，每个逻辑段存放一种信息，每个段称逻辑段，当前正在使用的逻辑段称作当前段。

逻辑信息按照存放信息的类别分为：代码（程序）段，堆栈段，数据段，附加段。 逻辑段：逻辑段长度=后起始地址-前起始地址，一类信息可以使用1个至多个逻辑段。

地址指针：程序指针：CS:IP，堆栈指针：SS:SP，数据指针：DS或ES:EA（有效地址）

段地址来源于4个段寄存器，偏移地址来源于IP、SP、EA（由BP、SI、DI计算）。 段地址默认时，偏移地址称作逻辑地址。 3.8086存储器堆栈技术

1.堆栈的定义：在存储器设置专用区（堆栈段），临时存放需要保护的信息。 2.堆栈原则：按字堆栈，后进先出；从底（高地址）向顶（低地址）堆放堆栈指针SS:SP（栈顶）。 3）堆栈设置：

①SS赋值：定段位置；SP赋值：定段长度。 ②SP-2（内部自动，SP值不变）。

③物理地址=段地址（SS）*10H+偏移地址（SP） 4）堆栈使用

自动或用指令使用堆栈。SP-2，进栈；SP+2，出栈；自动实现，程序里不写。 二、计算机存储系统概述 1计算机的存储系统

1）主存和辅存 2）存储系统

2.内存（半导体存储器）的概述

1）主存功能：存放当前运行的程序和数据，供CPU直接访问；存放多机共享的数据，兼顾实现多机通信。

2）主存连接：主存<—>系统总线<—>CPU

系统总线：AB：地址来自CPU的AR寄存器；CB：包括IO/M、WE/RD、Ready等引脚；DB：数据通过CPU的DR寄存器中转。 3）主存分类

RAM：易失性存储器，如U盘；ROM：非易失性存储器； MOS RAM分静态（Static）和动态（Dynamic）RAM两种。 双极性RAM的特点：存取速度快。

静态MOS RAM 的特点：价格便宜，功耗低。内存：MOS 4）内存（半导体存储器）组成和结构 地址译码方式：单译码方式、双译码方式 二、计算机的内存 1.静态RAM

简称SRAM，基本存储电路：RS触发器。

Intel 6116：双列直插式，24引脚，存储容量2K*8位 2.动态RAM 简称DRAM

Intel 2116:16K*1位，由于受封装引线的限制，只有7条地址输入线，1条数据

线；采用地址线分时复用的技术；控制信号：CAS列，RAS行；

工作方式：写操作：电容充电；读操作：破坏性读出，重写刷新；定时刷新：保持电容电平。

特点：定时刷新、分时复用。 3. EPROM芯片

Intel 2716容量为2K×8位，采用NMOS工艺和双列直插式封装 三、存储器的扩充和与CPU连接 1、存储器的扩充

⑴位数的扩充：用固定容量、位数一定的芯片扩充成固定容量、位数较多的存储器。

如：需要2KX8位的存储器：2KX1需8片； 需要2KX8 位的存储器：2KX4需2片； 需要2KX16位的存储器：2KX1需16片； 需要2KX16位的存储器：2KX4需4片。

⑵字扩展（地址扩展）：用一定容量、位数固定的存储芯片扩充成较大容量位数固定的存储器。

如：需要64KX8位的存储器：16KX8需4片； 需要64KX8位的存储器：2KX8需32片。

⑶字、位扩展：用固定容量、固定位数的芯片扩展成较大容量、较大位数的存储器。

如：用16KX4 的存储芯片扩展成64KX8的存储器： 位扩展：需2片；