内容发布更新时间 : 2024/6/18 22:00:24星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

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一、选择题

1.Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。 （B） A.12 B.18 C.20 D.24 2.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。 （C）

A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。 （D） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 4.MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。 （A）

A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 5.表征了MOS器件的灵敏度。 （C） A.ro B.gmb C.gm D.uncox

6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的。 （B） A.ro B.gmb C.gm D.uncox

7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。 （C） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入MOS不匹配 D.电路制造中的误差

8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。 （ C ） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器

C.有源电流镜差分放大器 D.Cascode负载Casocde差分放大器

9.镜像电流源一般要求相同的。 （ D ） A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L 10. NMOS管的导电沟道中依靠导电。 （ ）

A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 11.下列结构中密勒效应最大的是。 （A）

A.共源级放大器 B.源级跟随器

C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大

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器

12.在NMOS中，若Vsb?0会使阈值电。 （A） A.

增

大

B.

不

变

C.

减

小 D.可大可小 13. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。 （C）

A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻

14. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。 （A）

A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置

15. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该

电路的等效输入电阻为。 （）

第15题

A.

RR B. C.R(1?A)D. R(1?1A)

1?1A1?A16.不能直接工作的共源极放大器是共源极放大器。 （C）

A.电阻负载 B.二极管连接负载

C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载

17.模拟集成电路设计中的最后一步是。 （B） A.

电

路

设

计

B.

版

图

设

计 C.规格定义 D.电路结构选择

18.在当今的集成电路制造工艺中，工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优

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势。 （B）

A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS 19.PMOS管的导电沟道中依靠导电。 （B）

B.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷

20.电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。 （D） A.增大器件宽长比 B.增大负载电阻

C.降低输入信号直流电平 D.增大器件的沟道长度L

21. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是。 （D）

A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通路

C.减小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益

22.共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗。 （D） A.

低

B.

一

般

C.

高 D.很高

23. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义来表示电压转换电流的能力。 （A） A.

跨

导

B.

受

控

电

流

源

C.

跨

阻 D.小信号增益

24.MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是。 （C） A.

电

导

B.

电

阻

C.

跨

导 D.跨阻

25.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（ D） A.不断提高 B.不变 C.可大可小 D.不断降低