内容发布更新时间 : 2024/12/22 21:27:45星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
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如果之前没有执行IBIS到DML的模型转换,我们也可以在SI Model Browser窗口转换,具体过程同前文叙在SigXP中,我们也可设置电路板叠层(早期版本无此功能),这样在调入传输线模型时会更方便。在SigXP
述的基本一致(第2.4.8节),不再详述。
窗口中选择Setup -> Manage LayerStacks,打开LayerStack Manager窗口。
图 77:LayerStack Manager窗口
如果已经确定所需设计的叠层和现有的某一brd一致,可以很方便的导入叠层。点击“Import”按钮,在打开的浏览窗中找到现有的brd,双击打开(单击后选择“打开”按钮也可),在弹出的对话框中给此叠层命名,再OK确认即可。
图 78:导入叠层
图 79:选择来源文件
如果没有可参考brd文件,可以使用新建后编辑的方式,点击“New”按钮,在弹出菜单中选择6 Layers。(这里的层数选择仅是为了调用SigXP所提供的默认叠层方案,有2、4、6、8层供选择,如果需要设置更多的叠层,可以随意选择一个方案后再手动修改。)然后在弹出的对话框中给叠层命名,OK确认后在LayerStack Manager窗口选中此叠层,点击“Edit”按钮,在弹出Layout Cross Section窗口中将各层面参数改成所需。然后一路确认退出。
图 80:命名叠层
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图 81:Layout Cross Section窗口显示默认6层板叠层
在SigXP中,也有仿真参数需要设置。点击Analyze -> Preferences打开Analysis Preferences窗口,有六个栏眉,分别是Pulse Stimulus、S-Parameters、Simulation Paremeters、Simulation Modes、Measurement Modes和EMI,其中要设置内容和Allegro PCB SI中的同名窗口基本一致(第2.4.10节),在此不再详述。而如果在提取得到的拓扑文件中打开此窗口,会发现其中的参数值是从Allegro PCB SI传递过来的,不必再设置。
图 82:Pulse Stimulus栏眉
图 83:S-Parameters栏眉
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图 84:Simulation Paremeters栏眉
图 86:Measurement Modes栏眉
图 85:Simulation Modes栏眉
图 87:EMI栏眉
2.4.14
在SigXP中绘制拓扑
设置好仿真参数,回到SigXP界面下,我们就可以手动绘制传输线拓扑了。在此之前不妨把SigXP保存一
下,因为在文件保存的同时,设置也会被保存下来。默认情况下,新打开的SigXP默认的拓扑文件名unnamed.top,文件位于环境变量所设定的HOME目录下。这里我们改名为LA.top,依旧保存于我们的工作目录E:\\Pre_simu下。
绘制拓扑的过程可以大约可分为四个步骤:添加模型(包括缓冲器、连接器、传输线、过孔、分立元件和? 添加模型
首先添加缓冲器模型,选择Edit -> Add Elements或者快捷按钮
,在弹出的Add Element Browser窗
电源模型等),修改或确认模型参数,将模型按照所需的拓扑(连接方式)连接在一起,添加激励和设定测量。
口中将Model Type Filter栏通过下拉菜单选择IbisDevice。
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图 88:Add Element Browser窗口中选择IbisDevice
然后在下方的模型栏中找到TISSQE32882_ZAL_nomirror_noquad,单击选择。
编者注:大家可以注意到TISSQE32882_ZAL_nomirror_noquad在模型栏中存在两个,所属库文件分别
是device.dml和sigxp.dml,前者是默认工作库,在分配EA32882_1p6.ibs文件给寄存器芯片时,已经将自动转换得到的DML格式模型存在于默认工作库中。而sigxp.dml是提取模型进入到SigXP时自动创建的DML模型库,所有已提取拓扑中的器件模型都会添加到此模型文件中。(事实上,笔者还删除了之前在Model Integrity转换EA32882_1p6.ibs得到的EA32882_1p6.dml文件,否则这里会有三个TISSQE32882_ZAL_nomirror_noquad模型。)
图 89:Add Element Browser窗口中选择寄存器芯片
在弹出的Select IBIS Device Pin窗口中找到QAA13(Pin A1, Model EA32882_1P6_OUT_light),单击选择。
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编者注:大家可以注意到同样是管脚A1的QAA13信号,存在多个缓冲模型(light、light_LV、moderate、
moderate_LV等),这是因为在IBIS模型中,同一个管脚可以通过Model Selector字段定义多个缓冲器模型,以对应不同的IO特性(驱动电流、阻抗、电压等等)。而末尾带*号的表示默认选择的缓冲器模型。
图 90:Select IBIS Device Pin窗口中选择缓冲器模型
一个IO缓冲器模型就会出现在鼠标光标下方,在SigXP工作台点击,即摆放下此缓冲器,然后右击在右键菜单中选项“End Add”结束摆放。
图 91:在SigXplorer窗口中摆放缓冲器模型
在Select IBIS Device Pin窗口点击“Close”按钮回到Add Element Browser窗口,同样方式添加10个在Add Element Browser窗口修改Model Type Filter栏至GenericElement,然后点击其中的Source,将一MT41J256M8DA芯片的V79D_INPUT2_1066缓冲器模型(Pin N3,Signal A13)。 个电源模型摆放到工作台中。
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