内容发布更新时间 : 2024/5/3 21:45:43星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

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第一章

一、选择题（请选择一个最合适的答案填入括号内） 1. P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体中的多数载流子是（ ）。

A. 自由电子 B. 空穴 C. 电荷

2. 当PN结正偏时，空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比（ ）。

A. 前者强于后者 B. 后者强于前者 C.二者平衡 3. 二极管正向导通的条件是外加电压（ ）。

A. >0 B. >死区电压 C. >击穿电压 D. <死区电压 4. 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（ ）。

A. 击穿 B. 电流为零 C. 电流正常 D. 电流过大使管子烧坏 5. 在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体，加入_____元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 D. 二价 6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_____

A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零

7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 μA增大到22μA时，Ic从1mA变为2mA，那么它的β值约为_____

A.83 B.91 C.100 D. 110

8. 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将______

A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零 9. 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的电压应为（ ）。

A.前者反偏，后者反偏 B. 前者正偏，后者反偏 C.前者正偏，后者正偏 10.VGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ）。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C.耗尽型MOS管 二、简答题：

1．在温度20℃时，某晶体管的ICBO?2?A，试问温度在60℃时ICBO约为多少？

2.三极管的安全工作区受那些极限参数的限制？使用时，如果超过某项极限参数，分别会产生什么后果？ 3．在用万用表测量二极管的正向电阻时，常发现用不同欧姆档测出的电阻值不相同，用?×10挡测出的阻值小，用用?×100挡测出的阻值大，这是什么道理？

4．能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？

5. 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 三、综合题

1． 在图1.16所示的电路中，ui是波形不整齐的输入电压，设D为理想二极管；画出输出电压的波形。

D++uiVt

图1.16

ui-RLuo-V02. 二极管双向限幅电路如图1.17(a)所示。若输入ui为图1.17 (b)所示的三角波，试画出u0的波形。设二极管的正向压降为0.7V。

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图1.17

3. 稳压二极管电路如图1.18所示，已知稳压管的UZ??6V，限流电阻R?100?。

(1)当RL?200?时，稳压管的IZ?? U0?? (2)当RL?50?时，稳压管IZ?? U0??

图1.18

4．如图1.19所示，设二极管正向压降为0.7V，E2=5V，当E1分别为2V、5V、10V时，求A点的电压UA各等于多少？如果E1的电压继续增加，A点电压的最大值UAmax=?

图1.19

5. 分别测得两个三极管的各极电位如图1.20所示，试识别它们的管脚，并判断这两个管子是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。

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图1.20

6. 某放大电路中晶体管(BJT)三个电极A、B、C的电流如图1.21所示。用万用表直流电流档测得IA??2mA,IB??0.04mA,IC??2.04mA。试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此管是NPN管还是PNP管，它的???

图1.21

7. 晶体管电路如图1.22所示。管子的门限电压UBE?0.7V,??50。当输出电压ui从0随时间线性增大到10V时，试画出u0对应ui变化的波形。

图1.22

8. 电路如图1.23(a)所示，场效应管的输出特性如图1.23(b)所示。分析当ui?4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

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