内容发布更新时间 : 2024/5/20 10:56:01星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

五、实验记录、数据处理及实验结果

0.02g/l甲基橙吸光度A0=1.084

灼烧温度550℃

时间 吸光度 降解率

10 0.225 0.7924

20 0.091 0.9161 灼烧温度700℃

时间 吸光度 降解率

10 0.688 0.3653

20 0.502 0.5369

30 0.489 0.5488

40 0.252 0.7675

30 0.087 0.9197

40 0.069 0.9363

六、注意事项

1、本次试验在二氧化钛的制备时应注意无水干燥操作，否则可能因为水的存在使钛酸丁酯提前水解，使实验失败。

2、水解大概五分钟就水解完全，在转移至培养皿室应该铺开进入烘箱在100℃下烘干，防止在烘干过程中出现外部干结但是内部无水乙醇尚未被完全蒸干。 3、在使用722型可见光分光光度计时应该预热30min，降低系统误差。 4、超声分散可改为使用磁力搅拌器搅拌20min。 七、思考题：

1.量取钛酸四丁酯的量筒应注意什么

答：量取钛酸丁酯的量筒应该保证干燥洁净，无水珠存在。

2.锐钛矿结构的TiO2粉与金红石结构的TiO2粉的X-射线衍射图有何不同

答：由XRD图谱，根据衍射角度2θ获得材料的信息。2θ=25为金红石的特征衍射峰，2θ=27为锐钛矿的特征衍射峰，并可进行物相分析，获得晶体的含量占比。

八、 实验小结、讨论及思考

1、实验求稳注意对于实验过程中的容量器进行标注。以免出现实验时分不清楚实验对象的问题。

2、在实验时注意实验安全，注意复习实验室常用仪器的使用方法，在使用分析天平时应该有耐心，对于天平的使用还需要加强。 3、关于纳米二氧化钛光催化氧化甲基橙的讨论

纳米二氧化钛光生空穴的氧化电位以标准氢电位计为3.0 V,比臭氧的2.07 V

和氯气的1.36 V高许多,具有很强的氧化性.高活性的光生空穴具有很强的氧化能力,可以将吸附在半导体表面的OH-和H2O 进行氧化,生成具有强氧化性的·OH [20].从

几种强氧化剂的氧化电位大小顺序：

F2>·OH>O3>H2O2>HO2·>MnO4->HCLO>Cl2>Cr2O72->·ClO2

可以看出·OH 具有很高的氧化电位,是一种强氧化基团,能氧化大多数的有机污染物及部分无机污染物.同时,空穴本身也可夺取吸附在半导体表面的有机污染物中的电子,使原本不吸收光的物质被直接氧化分解.在光催化反应体系中,这两种氧化方式可能单独起作用也可能同时作用,对于不同的物质两种氧化方式参与作用的程度视具体情况有所不同.另一方面,电子受体可直接接受光生半导体表面产生的高活性电子而被还原.环境中的某些特定污染物—有毒金属,如Hg2+、Ag1+、Cr6+、Cu2+等也能接受光生半导体表面产生的高活性电子而被还原成无毒的金属分子.