内容发布更新时间 : 2024/5/13 1:54:16星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

答：位向差越大晶界能越高；随位向差增大，晶界能先快速增大，后逐渐趋于稳定。原因：位向差越大，缺陷越多（小角晶界位错密度越大），畸变越严重，因此能量越高。

3. 请简述在固态条件下，晶体缺陷、固溶体类型对溶质原子扩散的影响。

答：晶体缺陷处的原子具有较高能量，且原子排列比较杂乱，有利于扩散。间隙原子扩散激活能比置换原子扩散激活能低，因此间隙原子扩散速度高。

4. 请分析解释在正温度梯度下凝固，为什么纯金属以平面状方式生长，而固溶体

合金却往往以树枝晶方式长大？

答：正温度梯度下，纯金属的液固界面是等温的，小突起处的过冷度小，生长受到抑制，因此液固界面保持平直，以平面状生长。固溶体合金由于溶质原子再分配，产生成分过冷，液固界面处的小突起将获得更大过冷度，因此以树枝状生长。 5. 铁碳合金中可能出现的渗碳体有哪几种？它们的成分有何不同？平衡结晶后是

什么样的形态？

答：一次渗碳体（规则的、粗大条状）、共晶渗碳体（莱氏体的连续基体）、二次渗碳体（沿奥氏体晶界分布，量多时为连续网状，量少时是不连续网状）、共析渗碳体（层片状）、三次渗碳体（铁素体晶界处）。它们成分没有区别。

二、 作图计算题（每题15分，共60分）

1. 写出附图的简单立方晶体中ED、C’F的晶向指数和ACH、FGD’的晶面指数，

并求ACH晶面的晶面间距，以及FGD’与ABCD两晶面之间的夹角。（注：G、H点为二等分点，F点为三等分点） 答：ED：

ACH：

，C’F：，FGd：

ACH的晶面间距：

FGD’与ABCD之间的夹角：

2. 请判断图示中和两位错各段的类型，以及两位错所含拐折（bc、de和hi、jk）

的性质？若图示滑移面为fcc晶体的（111）面，在切应力的作用下，两位错将如何运动？（绘图表示）

答：ab：螺位错；bc：刃位错；cd：螺位错；de：刃位错；ef：螺位错

gh：螺位错；hi：刃位错；ij：螺位错；jk：刃位错；kl：螺位错 bc、de为扭折，hi、jk为割阶

运动后恢复为直线，上的h、i、j、k为固定点，形成位错源

3. 某合金的再结晶激活能为250KJ/mol，该合金在400℃完成再结晶需要1小时，请

问在390℃下完成再结晶需要多长时间。（气体常数R=8.314L/mol·K）

答：

所以t2＝1.96小时

4. 请分别绘出fcc和bcc晶体中的最短单位位错，并比较二者哪一个引起的畸变较

大。

答：BCC晶体中为：（1分），FCC晶体中为：

故：FCC中的b2引起的畸变较小。

bcc：

fcc：

三、 综合分析题（共40分）

1、 请分析对工业纯铝、Fe-0.2%C合金、Al-5%Cu合金可以采用的强化机制，并解释机

理。（15分）

答：工业纯铝：细晶强化——利用晶界和位向差对位错运动的阻碍作用进行强化；

加工硬化——利用冷变形后缠结位错之间的相互作用进行强化。

Fe-0.2%C：固溶强化——利用碳原子引起铁的晶格畸变对位错运动的阻碍作用进行强

化。

加工硬化——同上 细晶强化——同上

沉淀强化——利用碳化物对位错运动的阻碍作用进行强化。

Al-5%Cu：沉淀强化（时效强化）——利用沉淀相对位错运动的阻碍作用进行强化。

加工硬化——同上 细晶强化——同上

2、 请根据Cu-Zn相图回答下列问题：(25分)

1) 若在500℃下，将一纯铜试样长期置于锌液中，请绘出扩散后从铜棒表面至内部

沿深度方向的相分布和对应的浓度分布曲线。

2) 请分析902℃、834℃、700℃、598℃、558℃的相变反应类型，并写出反应式。 3) 请绘出Cu-75%Zn合金的平衡结晶的冷却曲线，并标明各阶段的相变反应或相组

成。

4) 请计算Cu-75%Zn合金平衡结晶至200℃时的相组成含量。

902℃：包晶—— L+α→β 834℃：包晶——L+β→γ 700℃：包晶——L+γ→δ 598℃：包晶——L+δ→ε 558℃：共析——δ→γ+ε

2009年西北工业大学硕士研究生入学试题参

考答案

一、简答题（每题10分，共60分）

1. 在位错发生滑移时，请分析刃位错、螺位错和混合位错的位错线l与柏氏矢量b、外加切应力τ与柏氏矢量b、外加切应力τ与位错线l之间的夹角关系，及位错线运动方向。（请绘表格作答，答案务必写在答题册上） 答：

b 与 l τ与 b τ与l 位错线运动方向

// ⊥ ⊥ 法线

法线 // // //

一定角度

//

一定角度

法线