内容发布更新时间 : 2024/11/15 3:30:20星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

目录

前端电路设计与仿真 ....................................................................................................................... 2

第一节双反相器的前端设计流程 ........................................................................................... 2

1、画双反相器的visio原理图 ....................................................................................... 2 2、编写.sp文件 ............................................................................................................... 2 第二节后端电路设计 ............................................................................................................... 4

一、开启linux系统 ......................................................................................................... 4 2、然后桌面右键重新打开Terminal .............................................................................. 6

双反相器的后端设计流程 ............................................................................................................... 7

一、schematic电路图绘制 ............................................................................................. 7 二、版图设计 ................................................................................................................. 21 画版图一些技巧： ......................................................................................................... 30 三、后端验证和提取 ..................................................................................................... 31 第三节后端仿真 ..................................................................................................................... 37

其它知识 ......................................................................................................................... 40

前端电路设计与仿真

第一节双反相器的前端设计流程

1、画双反相器的visio原理图

VDDM0infaM1VDDM2outM3

图1.1

其中双反相器的输入为in 输出为out，fa为内部节点。电源电压VDD=1.8V，MOS管用的是TSMC的1.8V典型MOS管(在Hspice里面的名称为pch和nch，在Cadence里面的名称为pmos2v和nmos2v)。

2、编写.sp文件

新建dualinv.txt文件然后将后缀名改为dualinv.sp文件 具体实例.sp文件内容如下：

.lib 'F:\\Program Files\\synopsys\\rf018.l' TT 是TSMC用于仿真的模型文件位置和选择的具体工艺角*****这里选择TT工艺角***********

划红线部分的数据请参考excel文件《尺寸对应6参数》，MOS管的W不同对应的6个尺寸是不同的， 但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。 划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致

MOS场效应晶体管描述语句：(与后端提取pex输出的网表格式相同)

MMX D G S B MNAME

2.1、在windowXP开始--程序这里打开Hspice程序

2.2、弹出以下画面然后进行仿真

存放.sp文件的地址1、打开.sp文件2、按下仿真按钮3、查看波形

查看波形按钮按下后弹出以下对话框