内容发布更新时间 : 2024/5/3 1:44:55星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

习题：

一．填空题

1. 半导体的导电能力与 温度 、 光照强度 、 掺杂浓度 和材料性质有关。 2. 利用PN结击穿时的特性可制成 稳压 二极管，利用发光材料可制成 发光 二级管，利用PN结的光敏性可制成 光敏（光电） 二级管。

3. 在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导 体。N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。 4. PN结外加正向电压时 导通 外加反向电压时 截止 这种特性称为PN结的 单向导电性 。

5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。 7..晶体管的三个工作区分别为 放大区 、 截止区 和 饱和区 。 8.. 稳压二极管是利用PN结的 反向击穿特性 特性制作的。 9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。

10. 晶体三极管工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电，因此三极管又称为 双极型 晶体管。

11.设晶体管的压降UCE 不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。 12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和 结型 两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是

MOS管，按其工作方式分可分为 耗尽型 和 增强型 两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。

13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中

题表2-1

二．选择题

1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A 。

A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压

2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。

A.开路 B.短路 C.不能确定 3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向导通 D.反向击穿 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。

A.增大 B.不变 C.减小

5.工作在放大区的某晶体管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为＿＿C＿＿。

A.83 B.91 C.100

6.当场效应管的漏极直流电流ID从２mA变为４mA时，它的低频跨导gm将 C 。

A、增大 B、不变 C、减小

7.uGS＝０时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 和 C 。

A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管

8.场效应管属于__A____控制型器件，晶体三极管则属于___B___控制器件。

A、电压 B、电流 C、电感 D、电容。

9.测得某放大电路中三极管各级电位分别为3v、2.3v、12v则三极管三个电极分别 是 C ,该管是 E

A、(e b c) B、(b c e) C、(b e c ) D、(pnp) E、(npn)

10.如题图2-1所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为( A )。

A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止

11.在题图2-2示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V， VDZ2的

稳定电压为15V，输出电压UO等于( B )。 A．15V B．9V C．24V

题图2-1 题图2-2

三、分析题

1. 二极管电路如题图2-3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。 （1） 试求流过二极管的直流电流。

（2）二极管的等效直流电阻RD为多少？

R + 100? D 6V

解：（1）流过二极管的直流电流也就是题图2-3的回路电流，即 ID=

题图2-3

6?0.7A=53mA 1000.7V(2) RD==13.2? ?353?10A

2. 二极管电路如题图2-4所示。

（1）设二极管为理想二极管，试问流过负载RL的电流为多少？

（2）设二极管可看作是恒压降二极管，并设二极管的导通电压UD(on)?0.7V，试问流过负载RL的电流是多少？

（3）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？

E

+ D 10V RL 100?

题图2-4

E?100mA RLE?UD(on) （2）I??94mA

RL （3） I??IS或I?0

解：（1）I?

3. 二极管限幅电路如题图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且UD(on)=0.7V。若ui＝5sinωt(V)，试画出u0的波形。

题图2-5

解：(1)在图(a)中：当ui＞一2.7V时，V管截止，u0＝一2V；当ui≤一2.7V时，V管导通，u0

＝ui。当ui＝5sinωt(V)时，对应的u0波形如图答图2-5(a)所示。

(2)在图(b)中：当ui＞1.3V时，V管截止，u0＝ui；当ui≤1.3V时，V管导通，u0＝2V。其相应波形如答图2-5(b)所示。