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2003-2004第二学期电子线路期中考试
姓名 班级 分数 一、填空题（每空格一分，共42分）
1、 在导体中导电的是 ，在半导体中导电的不仅有 ，而且有 ，这是半导体区别于导体导电的重要特征。
2、 半导体类型有 、 、 。 3、 PN结正向偏置时 ，反向偏置时 ，这种特性称为PN结的
。但是当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为 。 4、 最常用的半导体材料有 和 。
5、 硅二极管导通时的正向压降为 伏，锗二极管导通时的正向压降为
伏。
6、晶体三极管有两个PN结，即 结和 结，在放大电路中 结必须正偏， 结必须反偏。
7、晶体三极管有 型和 型，前者的图形符号是 ，后者的图形符号是 。
8、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即 、 和 。当三极管工作在 区时，关系式IC＝βIB才成立；当三极管工作在 区时，IC≈0；当三极管工作在 区时，UCE≈0。 9
、
三
极
管
三
种
基
本
联
接
方
式
分
别
是 、 、 。
10、二极管以用途分类可分 、 、 、 、 。 11、稳压管工作在 区。
12、桥式单相全波整流电路组成有 ， ， 。
二、选择题（每题2分，共20分）
1、
在P型半导体中（ ）
A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 C．空穴的数量略多于电子 D．没有电子 2、
二极管两端加上正向电压时（ ）
A．一定导通 B．超过死区电压才能导通 C．超过0.7伏才导通 D．超过0.3伏才导通 3、
如图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（ ）
A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD
4、 5、
在三极管输出特性曲线中，当时IB=0是IC（ ）
三极管处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（ ） Ａ．发射结和集电结都处于正偏 Ｂ．发射结处于正偏，集电结处于反偏 Ｃ．发射结处于反偏，集电结处于正偏 6、
电路如图所示，图中三个二极管的正向管压降均可忽略不计，三个灯的规格一样，则最亮的是（ ）
Ａ．Ａ灯 Ｂ．Ｂ灯 Ｃ．Ｃ灯
Ａ．ICM Ｂ．ICBO Ｃ．ICEO
7、 电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压ＵAB为（ ）
Ａ．－３伏 Ｂ．５伏 Ｃ．８伏 Ｄ．－８伏
8、NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（ ） A. UC>UB>UE B. UC
9、用万用表R×1kΩ的电阻档测量一只能正常放大的三极管，若用红表棒接触一只管脚，黑表棒接触另两只管脚时测得的电阻均较大，则该三极管是（ ）
A. PNP型 B. NPN型 C. 无法确定
10、指针式万用表的欧姆挡两表分别接触一个整流二极管的二端，当测得的电阻较小时，红表笔所接触的是 （ ）
A.二极管的阳极 B.二极管的阴极
三、判断：（每题1分，共8分）
1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 （ ） 2、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。
3、晶体二极管击穿后立即烧毁。 （ ） 4、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。
5、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。 （ ） 6、 三极管处于截止状态时，发射结正偏 （ ） 7、 晶体三极管具有能量放大功能。 （ ） 8、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管 一定损坏。 （ ）
四、计算与分析（共30分）
1、1：分析图示电路中当开关S闭合后，H1和H2两个指示灯，哪一个可能发光？（4分）
2、已知三极管的IC=2mA, β=50,则IB、IE各有多少？（6分）
3、有一直流负载，需要直流电压VL=60V，电阻RL=15，若采用桥式整流电路如图所示，求电源变压器次级电压V2、电流IL以及二极管电流IV。（6分）
4、在放大电路中测得各三极管电位如图所示，试判断各管脚、类型及材料(6分)
① ② ③
2.8V 6.8V 3V
① ② ③
4V 9.8V 10V
5．根据如图所示三极管的各管脚电位，试分析其工作状态，并将结果用“√”填入表内，其中NPN型管为硅材料，PNP型管为锗材料。（8分）
序号 状态 放 大 饱 和 截 止 V1 V2 V3 V4