关于介质损耗的一些基本概念 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/12/26 10:39:24星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

上图蓝色框内为电缆拖地时附加杂散电容的RC串联模型,使δ点的电压UN超前变成UN',相应的IN变成

IN',Ix相位不变,造成δ角增大,既介质损耗增大。感兴趣的用户也可用公式推导出来。

用AI-6000C、D型介损测试仪做CVT自激磁测量

(泛华电子)

一、CVT测量的基本原理

电容式电压互感器(CVT)为叠装式结构,由于现场试验时叠装式CVT的电容分压器和电磁单元不能分开,给电容分压器的电容及介损测量造成了一定的困难。CVT生产制造厂在CVT叠装前对电容分压器的电容及介损进行分体测量。而对组装好的,将中压端子(A点)引出的CVT,可采用正接线直接测量,对没有抽头的CVT只能采用自激法测量。

500kV CVT示意图

二、CVT自激法测量时需要采取的保护措施

在CVT自激法做介损试验时,由于“回路谐振”和“容升效应”, 绝对不能简单的用变比衡量一次侧电压。CVT分压电容的容量很大(>4万P),在二次侧升几伏电压,一次侧就能达到上千伏。一定要严格监测一次侧

(A点)电压小于3kV,二次侧电流小于6A。所以AI-6000C、D两个型号在CVT测量时提供了高压电压、高压电流、低压电压和低压电流四个保护限制,根据这四个保护限制,AI-6000准确调制电压,确保试验仪器和设备的安全。

三、CVT自激法介绍

1、传统CVT自激法:

需外接标准电容、低压激励电源和监控用电压电流表,具体接线参见高压试验规程。 2、用AI-6000C型做母线不接地CVT自激法测量

测量C1 测量C2

应注意,高压线应悬空不能接触地面,否则其对地附加介损会引起误差,可用细电缆连接高压插座与CVT试品并吊起。另外,考虑C2或C1与内Cn串联分压效应,其电容量可按下式校准:

其中Cc为校准经验值,包含了Cn及高压线对地电容的影响,其值可取110pF。 3.母线接地CVT自激法测量

如果母线接地,建议采用如下方法测量:

第一步,按图3.10.11.1接线,用“内Cn”方式测量C13:

测量C13接线 用C13作标准电容测量C2

应注意,高压线应悬空不能接触地面,否则其对地附加介损会引起一些误差(表现为C13介损增加)。可用细电缆连接高压插座与CVT试品并吊起。

为进一步补偿C2串入标准回路对C13影响,可按下式校准C13电容:

其中Cc为校准经验值,包含了Cn及高压线对地电容的影响,其值可取110pF。

第二步,按图3.10.11.2接线,用C13作标准电容器测量C2,测量前将C13的电容和介损置入仪器的外标准电容项中(参见3.3),并选择“外Cn”方式。 母线不接地时,也可以用这种接线方式测量。 4、用AI-6000D做CVT自激法测量

如果C1是单节电容,母线不能接地;如果C1是多节电容,高压引线可不拆,母线也可接地,C11和C12可用常规正反接线测量,C13和C2用自激法测量。

CVT自激法测量中,仪器先测量C1,然后自动倒线测量C2,并自动校准分压影响。 测C13时,高压线芯线和屏蔽带高压,CX线芯线和屏蔽都是低压。

测C2时,高压线芯线和屏蔽、CX线芯线和屏蔽都是低压。

应注意,高压线应悬空不能接触地面,否则其对地附加介损会引起误差,可用细电缆连接高压插座与CVT试品并吊起。

四、正接线直接测量C1C2的串,介质损耗为负值或很小。反接线直接测量C1C2的串,介质损耗为一大数

用正接线直接测量C1C2的串,电容量可以测出来, 但电磁单元的杂散阻抗可以模拟成一个RC串联模型,使A点电压超前,也造成Ix超前向第二象限偏转,造成δ角减小变成δ',如果偏过90°就造成负值。同理,用反接线直接测量C1C2的串,在δ端反接线<3kV,介质损耗为一大数。

正接线直接测量C1C2的串的等效电路