湖南大学2016春季微电子电路期中考试参考答案 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/5/18 10:03:26星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

湖南大学2016春季微电子电路期中考试参考答案

一、 填空题(每空1分,共20分)

1. 饱和,截止,放大 2. 电压,单,多数载流子 3. 图形转换(光刻、刻蚀),制膜(氧化、淀积),掺杂(扩散、离子注入) 4. 截止区,线性区(线性电阻区),饱和区(恒流区),饱和区 5. 静态,动态,开关 6. PUN(上拉网络),PDN(下拉网络),PDN,PUN

二、 简答题(每题6分,共30分)

1. BJT原理图如图所示,E区掺杂浓度高,B区很薄,C区区域大。以NPN管为例,

工作于放大状态时,E结正偏,以多数载流子扩散运动为主,C结反偏,以少数载流子漂移运动为主。 E区高浓度电子扩散到B区,由于扩散到B区电子浓度高,部分电子被B区空穴复合产生复合电流Ib,大部分扩散来B区又未被复合的电子是少数载流子,在C结反偏电压形成的电场作用下,被拉到C区,即漂移到C区形成电流Ic,Ic 与Ib呈比例关系,也即Ic /Ib≈β。BJT是双极型晶体管,是电流控制元件。E结零偏或反偏时,没有Ib电流形成,晶体管不导通,工作于截止状态。E结正偏、C结正偏时,Vce≈0.3V左右,不随Ic变化而变化,晶体管工作于饱和导通状态。

2. 反相器的NMOS、PMOS管状态与真值表列表略。

3. 画电路结构如图所示(电容可以抛弃)。工作原理:高通、低通、高阻情况说明清

楚。 VoutVin C L

Vc4. 略

5. 由2n+1个非门闭环构成测试电路如图所示,使用环形振荡器测量电路的工作频率

及延迟时间。

T?tpHL2?tpLH3?tpHL1?tpLH2?tpHL3?tpLH1?6tpf?11?T6tptp?12nfcRcbRbe BJT原理图

三、 分析应用题(每题10分,共50分)

1. 由图1可知其为时序电路,可以画出其clk、D、QM、Q的时序波形图(或功能表),

由时序波形图可知图1位D型边沿触发器,上升沿触发有效,D_N信号输入。电路结构为主从式触发器,master和slave分别由2个传输门和3个非门构成,clk经由2个非门连接master和slave的传输门控制端。主从结构触发器工作过程描述(主建立、从保持;主保持、从建立)

2. 由图2可知其为组合逻辑电路,电路由2个非门和一个传输门构成,列真值表可得

出图2位异或门电路。

3. 由图3 可知其为时序电路,其为由传输门和电容C构成的动态锁存器电路。clk为

0时,传输门导通,X建立为D的值,D=0时,传输门低通,C放电为0;D=1时,传输门高通,C充电为1。clk为1时,传输门截止,X保持为原来的值。

4. 由图4可知其为组合逻辑电路,电路由2个传输门和2个非门构成。列出其真值表,

可以得出其实际为二选一电子选择开关电路。

5. 依据图5可知,其仿真结果来自于沟道宽度对反相器直流电压传输特性曲线的影响

实验。Wp逐渐变大时,传输特性曲线“右移”。因为Kr=Kn/Kp,而K=β/2=∝W/L,增加Wp,Kp逐渐增大,Kr逐渐减小,传输特性曲线“右移”。