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光磁共振实验中壁弛豫过程与外磁场关系

的精确测量与理论分析

周健 俞熹* 王煜

（复旦大学 物理系，上海 200433）

摘要：

利用改进后的DH807型光磁共振实验装置，在静态磁场下精确测量了抽运信号的弛豫饱和值与外磁场的关系，从而得到壁弛豫速率与外磁场的关系，并建立模型对其原理进行了探讨。

关键词：

壁弛豫过程 异常光抽运信号 光磁共振实验装置的改装

引言：

光抽运（Optical Pumping）技术由Kastler A等人[1]于五十年代提出。几十年来，光抽运技术在激光,惰性气体超极化[2]，电子频率标准和精测弱磁场方面有重要的应用，尤其是在碱金属原子激发态精细与超精细能及结构的研究中起了巨大的推动作用。对于光抽运过程中的弛豫机理的研究有着重要的理论和实用价值[3]-[5]。目前对于弛豫过程的研究主要使用激光来直接探测铷蒸汽的极化情况[6]，其装置复杂昂贵；而本文通过对目前国内广泛使用的北京大华无线电仪器厂生产的DH807型光磁共振实验仪[7]进行改装，测量静态磁场下光抽运过程弛豫饱和值，从而得到了弛豫速率与外磁场的关系，其结果不仅与理论关系符合的很好，而且可以作为进一步解释各种复杂异常光抽运信号的基础。

1 光磁共振实验仪的改装

为了测量静态磁场下光抽运过程弛豫饱和值，我们对目前国内广泛使用的北京大华无线电仪器厂生产的DH807型光磁共振实验仪进行了改装：

（1）DH807型光磁共振实验仪的光电信号放大电路直接用电容截取交流成分，只能观察动态的光抽运信号而无法得到静态磁场下的弛豫饱和信号。故我们直接取出光电池信号对其进行直流放大，可同时观察动态的光抽运信号和静态磁场下的弛豫饱和信号并进行精确测量。

（2）仪器本身的信号源只能产生方波和三角两种波形，且周期为100ms和50ms不可调,所以我们使用XFD-8B超低频信号发生器的功率输出直接控制水平扫场线圈。该信号发生器可以输出方波，正弦波，三角波等各种波形，周期从0.2ms到100s可调，极大的丰富了实验的内容。

（3） 由于仪器本身给出的扫场波形只是信号源的电压波形，并非铷泡处真实磁场的变化波形，所以我们使用霍尔传感器直接置于铷泡处，直接对比观测铷泡处磁场的真实变化同光抽运信号的关系，见图1。

图 1 铷泡处的霍尔传感器

（4）通过霍尔传感器直接探测铷泡处的磁场变化，发现铷泡处磁场的变化曲线（图3）与扫场外源信号曲线（图2）存在很大差异：信号的前沿和后沿都出现了明显的尖角，且信号的前沿和后沿都不再垂直变化，而是有一定的斜率。其原因为水平扫场线圈电感很大，外源信号的变化会使其感应很大的反电动势，从而导致真实磁场值的变化波形与外源的扫场波形有一定的差异。由于线圈的感抗与频率成正比，Z?2?fL,实验中发现当频率高于100HZ后，因为阻抗太大，几乎任何波形都不能明显的磁场变化信号。为了避免动态磁场的畸变对于实验结果的影响，我们在对于抽运信号的弛豫饱和值与外磁场的关系的测量在静态磁场条件下进行。

2 实验过程 光抽运实验中，常常会遇到两个半周期的弛豫饱和值明显不同的情况，结合其磁场零点的位置，我们可以画出如下示意图（见图4）：

图3 光抽运信号（上）

图2 信号发生器产生的理想

铷泡处真实的磁场变

方波扫场信号

化信号（下）

扫场半周期T=200ms

图4 异常光抽运信号与磁场对应关系示意图

对于这样的异常光抽运信号的合理解释需要我们对于弛豫过程的机理有深入的了解，尤其重要的是研究磁场大小与抽运信号弛豫饱和值之间的关系。由于改装后仪器采用直流放大，可以精确显示光电流的绝对值，因此我们可以定量研究这些关系和机理。

实验中，我们仔细调节垂直场线圈的电流，将地磁场的垂直分量完全抵销，此时水平方向的磁场大小就是铷泡感受到的总磁场。关闭扫场，此时光电信号的强度就表示了该磁场强度下

抽运信号弛豫饱和值的大小。 由于使用的是静态的水平磁场，并且每改变一次磁场值（与水平场电流呈线性关系），都等待足够长的时间使信号饱和，这样就避免了动态扫场时电感对实际磁场的影响，得到水平场电流在0.002A~0.123A之间变化时，弛豫饱和光电信号的强度的变化曲线。

图5 静态磁场下抽运信号弛豫饱图6 铷泡对光的吸收强度与总磁

和电压值与水平场电流的关场大小的关系 系

图5中纵坐标为弛豫饱和后光电池的输出经线性放大后的电压值，横坐标为该弛豫饱和电压值所对应的水平场的电流。由于地磁场的垂直分量被完全抵销，总磁场的大小即为水平线圈的磁场与地磁场水平分量的叠加

B0＝B水平－B地 （1）

（此时地磁场水平分量与水平线圈产生的磁场方向相反）

该曲线关于最低点对称，在最低点水平磁场电流为0.061A，利用亥姆霍兹线圈的电流与磁场的关系

B水平?16?NIH?3?10Gs （2） 3R52将实验室所在位置的地磁场水平分量，及线圈匝数N，线圈有效半径R代入（1）（2）后得到当水平磁场电流为0.061A时，正好为总磁场的零点。即说明在总磁场为零时，铷泡对光的吸收最强烈。

由于当水平场的电流增加到0.100A以后，当磁场继续增大时，弛豫饱和光电信号强度保持1.843V几乎不再增加，故可近似认为当弛豫饱和光电信号强度为1.843V时铷泡对光吸收的零点，从而得到铷泡对于D1??光的吸收强度与总磁场强度的关系，如图6，其中纵坐标代表铷泡对D1??光的吸收强度

IA?1.843V?IT （3）