内容发布更新时间 : 2024/11/19 0:49:11星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

截面观察

（9）绘制Active图层：设计了N Well的布局区域之后，接着设计主动区（Active）图层图样，Active图层在流程上的意义是定义PMOS或NMOS的范围，Active以外的地方是厚氧化层区（或称为场氧化层），故需要设计光罩以限定Active的区域，但要注意PMOS的Active图层要绘制在N Well图层之内。同样，绘制Active图层必须先了解是使用何种流程的设计规则。在本范例中是使用MOSIS/ORBIT 2.0U的设计规则。观看Active图层绘制要遵守的设计规则可选择Tools?DRC命令，打开Design Rule Check对话框，单击其中的Setup按钮会出现Setup Design Rules对话框（或单击按钮），再从其中的Rules list列表框选择2.1 Active Minimum Width选项，可知Active的最小宽度有3个Lambda的要求。

Active绘制结果

（10）截面观察

截面观察

（11）设计规则检查：由于绘制的图样是要制作集成电路的光罩图样，必须配合设计规则绘制图层，才能确保流程时的效率。选择Tools?DRC命令，打开Design Rule Check对话框，选中Write errors to file复选框将错误项目记录至Cell0.drc文件或自行取文件名。若单击“确定”按钮，则进行设计规则检查。进行设计规则检查的结果如图11.13所示

设计规则检查结果

（12）绘制P Select图层：设计了Active的布局区域之后，并需加上P Select或N Select图层与Active图层重叠。在PMOS中需要布置的是P型杂质，P Select图层在流程上的意义是定义要布置P型杂质的范围，故需要设计光罩以限定P型杂质的区域。但要注意P Select区域要包住Active图层，否则设计规则检查会有错误。同样，绘制P Select图层必须先了解是使用哪种流程的设计规则，本范例是使用MOSIS/ORBIT 2.0U的设计规则。要观看P Select图层绘制要遵守的设计规则可选择Tools?DRC命令，打开Design Rule Check对话框，单击Setup按钮会出现Setup Design Rules对话框（或单击按钮），从Rules list列表框中选择4.2b/2.5 Active to P-Select Edge Active Minimum Width选项，如图11.17所示。

绘制P Select的结果

注意的是Active与P Select交集处被定义为pdiff层，pdiff与N Well也有一个环绕规则需要注意，设计规则2.3a Source/Drain Active to Well Edge如图11.19所示，此规则说明规定在N Well范围内，pdiff的边界与N Well的边界至少要距离5个Lambda，这是一个环绕（Surround）规则，pdiff层的定义可以用选择Setup?Layer命令来观看，如图11.20所示。

使用标尺测量

（13）绘制Poly图层：接下来绘制Poly图层，Poly图层在流程上的意义是定义成长多晶硅（Poly Silicon），需要设计光罩以限定多晶硅区域。同样，绘制Poly图层必须先了解是使用哪种流程的设计规则，本范例是使用MOSIS/ORBIT 2.0U的设计规则。要观看Poly图层绘制要遵守的设计规则可选择Tools?DRC命令，打开Design Rule Check对话框，单击Setup按钮会出现Setup Design Rules对话框（或单击按钮），从Rules list列表框中选择3.1 Poly Minimum Width选项。从3.1规则内容可知，Poly的最小宽度有两个Lambda的要求。

Poly图层绘制结果

（14）设计规则检查：由于绘制的图样是要制作集成电路的光罩图样，必须配合设计规则绘制图层，才能确保流程时的效率。选择Tools?DRC命令，打开Design Rule Check对话框，选中Write errors to file复选框将错误项目记录至Cell0.drc文件或自行取文件名。若单击“确定”按钮，则进行设计规则检查。 （15）检查错误：利用L-Edit中的File?Open命令打开错误记录文件Cell0.drc。

从3.3延伸（Extension）规则可看出，Poly图层必须延伸出Active区域有最小两个Lambda的限制，而本范例在第一个图所绘制的Poly延伸出Active区域只有1个格点，也就是延伸只有1个Lambda，故违反了设计规则。故将图11.23所绘制的Poly图层延伸出Active区域为两个格点即可。 （16）修改对象：将图11.23所绘制的Poly图层改为延伸出Active区域为两个格点的方式，可选择Edit?Edit Object（s），打开Edit Object（s）对话框，可在其中的Show box coordinates using下拉列表中选择Corners.

（17）截面观察：

截面观察

（18）绘制Active Contact图层：。

Active Contact设计规则

从6.2A环绕（Surround）规则可看出，Active Contact图层边界与field active图层边界必须至少有1.5个Lambda的限制，其中field active图层是Poly区以外的主动区部分.

（19）截面观察：利用L-Edit的观察截面功能，观察该布局图设计出的组件的制作流程与结果。

pmos截面图

（20）绘制Metal1图层：

绘制Metal1图层的结果

（21）设计规则检查：由于绘制的图样是要制作集成电路的光罩图样，必须配合设计规则绘制图层，才能确保流程时的效率。

（22）检查错误：利用L-Edit中的File?Open命令打开错误记录文件Cell0.drc。

（23）截面观察：利用L-Edit的观察截面功能，观察该布局图设计出的组件的制作流程与结果。

PMOS截面观察