微电子器件试验-晶体管开关特性的测试分析 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/5/13 9:10:35星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

电子科技大学 微固 学院

标 准 实 验 报 告

(实验)课程名称 微电子器件

电子科技大学教务处制表

电 子 科 技 大 学

实 验 报 告

学生姓名: 学 号: 指导教师:张有润

实验地点: 211楼605 实验时间:一、实验室名称: 微电子器件实验室 二、实验项目名称:晶体管开关特性的测试分析 三、实验学时:3 四、实验原理:

图1

如图1所示,如果在晶体管基极输入一脉冲信号Vi,则基极和集电极电流波型如图所示。故由图可读出其延迟时间Td、上升时间Tr、存储时间Ts和下降时间Tf。

晶体管开关时间参数一般是按照集电极电流iC的变化来定义: ? ? ? ? ?

延迟时间td:从脉冲信号加入到iC上升到。 上升时间tr :从上升到 ICS。

存储时间ts :从脉冲信号去除到iC下降到 ICS。 下降时间tf:从 ICS下降到 ICS。

其中td + tr即开启时间、 ts + tf即关闭时间 。

五、实验目的:

掌握晶体管开关特性测量原理。并能熟练地运用仪器其对双极晶体管的开关时间进行测试。

六、实验内容:

掌握晶体管开关特性测量原理,用如下实验装置图2观察晶体管输入输出波型,读出各参数。

改变外电路偏置,研究电路偏置对开关时间的影响。

图2

七、实验器材(设备、元器件):

双踪示波器、脉冲发生器、直流稳压电源、测试盒、9031NPN