三极管伏安特性测量 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/12/23 20:49:19星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

专业:测控技术与仪器 姓名:颜睿 实验报告

学号:3130103850 日期:2017.3.15 地点:东3-211 课程名称:电路与电子技术Ⅱ指导老师:楼丽珍成绩:__________________

实验名称:三极管的伏安特性测量实验类型:验证性实验同组学生姓名:__________ 一、实验目的和要求(必填) 二、实验内容和原理(必填) 三、主要仪器设备(必填) 四、操作方法和实验步骤 五、实验数据记录和处理 六、实验结果与分析(必填) 七、讨论、心得

一、实验目的和要求 1.理解三极管直流偏置电路的结构和工作原理 2.理解三极管输入、输出伏安特性 3.学习三极管伏安特性的测试方法 二、实验内容和原理 实验内容:

1.测量三极管的输入伏安特性 2.测量三极管的输出伏安特性 实验原理: BJT的共射极组态的伏安特性 1.共射组态输入特性 共射组态输入特性是指VCE一定时,输入回路中,VBE和IB之间的关系,即 IB=?(VBE)|VCE=常数 VCE=0V

VCE增长时 VCE>1V后

2.共射组态输出特性

共射组态输出特性是以IB一定时,IC与VCE之间的关系。即 IC=?(VCE)|IB=常数

整个输出特性可划分为三个不同的工作区域 (1)截止区 截止区是指图中IB≤0的区域。使BJT处于截至状态的条件是外加电压使发射结和集电结均处于反向偏置,即VBE≤0,VCB>0。 (2)饱和区

饱和区相应于输出特性曲线中,靠近坐标IC的区域(VCE≤0.7V)。此时,发射结正偏,VBE?0.7V,而集电结也由反偏转为正偏(VCB=VCE-VBE≤0)。 (3)放大区

放大区又称恒流区,对应于输出特性曲线的水平部分,即IB>0,且VCE>0.7V的区域。外加电压必须使发射结正偏,集电结反偏。 三、主要仪器设备 电子实验箱、万用表、NPN型硅三极管9013

四、操作方法和实验步骤

1.输入伏安特性的测量 1)VCE=0V

测量步骤:

1.设计并完成连接电路,ce间开路

2.调节输入回路电源电压,用万用表测量be两端电压VBE,再测量Rb两端电压,用欧姆定律换算得到基极电流IB

3.重复上述步骤,测得多组VBE和IB数据记录并作出图。

电路图连接如下:

VCE=0V时仿真输入特性曲线如下图:

2)VCE=1V

测量步骤:

1.设计并完成连接电路,ce间连接1V电压源

2.调节输入回路电源电压,用万用表测量be两端电压VBE,再测量Rb两端电压,用欧姆定律换算得到基极电流IB

3.重复上述步骤,测得多组VBE和IB数据记录并作出图。

电路图连接:

VCE=1V仿真输入特性曲线如下图:

3)将VCE=0V和VCE=1V两种情况下的输入特性曲线放在同一坐标系下,可以发现随着VCE的增大,输入特性曲线右移,仿真如下图所示: