半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案_百(精) 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/12/26 3:00:18星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

第一章习题

1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k和价带极大值附近能量EV(k分别为:

Ec=

(1)禁带宽度;

(2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量;

(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1)

2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107 V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解:根据: 得

补充题1

分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密

度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)

Si在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:

(a)(100晶面 (b)(110晶面

(c)(111晶面