半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案_百(精) 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/12/25 14:41:40星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

12. 在掺杂浓度ND=1016cm-3,少数载流子寿命为10us的n型硅中,如果由于外界作用,少数载流子全部被清除,那么在这种情况下,电子-空穴对的产生率是多大?(Et=Ei)。

13. 室温下,p型半导体中的电子寿命为=350us,电子的迁移率un=3600cm-2/(Vs。试求电子的扩散长度。

14. 设空穴浓度是线性分布,在3us内浓度差为1015cm-3,up=400cm2/(Vs。试计算空穴扩散电流密度。

15. 在电阻率为1cm的p型硅半导体区域中,掺金浓度Nt=1015cm-3,由边界稳定注入的电子浓度(n)0=1010cm-3,试求边界 处电子扩散电流。

16. 一块电阻率为3cm的n型硅样品,空穴寿命p=5us,在其平面形的表面处有稳定的空穴注入,过剩浓度(p)=1013cm-3。计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度,以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm-3?

17. 光照1cm的n型硅样品,均匀产生非平衡载流子,电子-空穴对产生率为1017cm-3s-1。设样品的寿命为10us ,表面符合速度为100cm/s。试计算:

(1)单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。

(2)单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。

18. 一块掺杂施主浓度为21016cm-3的硅片,在920oC下掺金到饱和浓度,然后经氧化等处理,最后此硅片的表面复合中心1010cm-2。

①计算体寿命,扩散长度和表面复合速度。

②如果用光照射硅片并被样品均匀吸收,电子-空穴对的产生率是1017cm-3s-1,试求表面的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少?