半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案_百(精) 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/12/27 4:49:11星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

1.5k0T 0.182 0.223

4k0T 0.018 0.0183

10k0T

4. 画出-78oC、室温(27 oC)、500 oC三个温度下的费米分布函数曲线,并进行比较。

5. 利用表3-2中的m*n,m*p数值,计算硅、锗、砷化镓在室温下的NC , NV以及本征载流子的浓度。

6. 计算硅在-78 oC,27

oC,300 oC时的本征费米能级,假定它在禁带中间合理吗?

所以假设本征费米能级在禁带中间合理,特别是温度不太高的情况下。

7. ①在室温下,锗的有效态密度Nc=1.051019cm-3,NV=3.91018cm-3,试求锗的载流子有效质量m*n m*p。计算77K时的NC 和NV。 已知300K时,Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K时,锗的电子浓度为1017cm-3 ,假定受主浓度为零,而Ec-ED=0.01eV,求锗中施主浓度ED为多少?

8. 利用题 7所给的Nc 和NV数值及Eg=0.67eV,求温度为300K和500K时,含施主浓度ND=51015cm-3,受主浓度NA=2109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少?

9.计算施主杂质浓度分别为1016cm3,,1018 cm-3,1019cm-3的硅在室温下的费米能级,并假定杂质是全部电离,再用算出的的费米能 级核对一下,上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时,取施主能级在导带底下的面的0.05eV。