半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案_百(精) 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/6/19 2:25:24星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

10. 以施主杂质电离90%作为强电离的标准,求掺砷的n型锗在300K时,以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

11. 若锗中施主杂质电离能ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3j及 1017cm-3。计算①99%电离;②90%电离;③50%电离时温度各为多少? 12. 若硅中施主杂质电离能ED=0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm-3, 1018cm-3。计算①99%电离;②90%电离;③50%电离时温度各为多少? 13. 有一块掺磷的 n型硅,ND=1015cm-3,分别计算温度为①77K;②300K;③500K;④800K时导带中电子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)

14. 计算含有施主杂质浓度为ND=91015cm-3,及受主杂质浓度为1.11016cm3,的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

15. 掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料,分别计算①300K;②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)。

16. 掺有浓度为每立方米为1.51023砷原子 和立方米51022铟的锗材料,分别计算①300K;②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)。

17. 施主浓度为1013cm3的

n型硅,计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。 18. 掺磷的n型硅,已知磷的电离能为0.044eV,求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。

19. 求室温下掺锑的n型硅,使EF=(EC+ED)/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。