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阻变存储器阻变层材料专利技术综述

作者：黄晓亮 田凌桐 王文晓 孟圆 来源：《河南科技》2019年第13期

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摘 要：阻变存储器是最具潜力的下一代非易失性存储器之一。本文从专利角度分析了阻变存储器阻变层材料相关专利申请的基本状况，分别对金属氧化物、固态电解质、有机物三种重要阻变层材料技术分支的重点专利进行分析，对各分支的技术内容进行详细梳理，分析其技术演进趋势，探索阻变存储器阻变层材料技术未来的发展方向。 关键词：阻变层;金属氧化物;固态电解质;有机材料

中图分类号：TP333 文献标识码：A 文章编号：1003-5168（2019）13-0008-04

Abstract： Resistive random access memory is one of the most promising next-generation non-volatile memories. This paper analyzed the basic status of patent applications related to resistive

memory resistive layer materials from the perspective of patents. The key patents of several important resistive layer material technologies of metal oxides， solid electrolytes and organic materials were analyzed respectively. The technical contents of each branch were analyzed in detail， and the technological evolution trend was analyzed to explore the resistance memory technology， and the future development direction of resistance layer material technology of resistance memory was explored.

Keywords： resistive layer;metal oxide;solid electrolyte;organic 1 阻变式存储器概述

存储器是集成电路产业中最为重要的技术之一，被广泛应用于信息、社会安全、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究等各个领域，是国家竞争力的重要体现。随着大数据、云计算、物联网等技术的兴起，需要存储分析的信息正在爆炸式增长，因此存储器有着巨大的市场。目前，主流的非易失半导体存储器是采用浮栅结构的闪存（Flash）存储器。但是，随着器件尺寸不断缩小，Flash的发展受到限制。因此，新的存储技术的研究越来越受到关注，如铁电存储器（FeRAM）、磁存储器（MRAM）、相变存储器（PRAM）和阻变存储器（RRAM）。阻变存储器（RRAM）研究起步最晚，但因低操作电压、低功耗、高写入速度、