内容发布更新时间 : 2025/11/4 7:38:33星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
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1. 某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C )
a、700 b、650 c、100 d、-100
2. 当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B )
a、05. b、0.7 c、0.9 d、1
3. 当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB
4. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( C ) a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ
5. 用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻
的电压
信号进行放大,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A比B( B )
a、一样 b、差 c、好 d、无法判别
6. 用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时VOA=VOB ,都接入负载RL时,测得VOA a、输入电阻高   b、输入电阻小   c、输出电阻高   d、输出电阻低 理想运放  7. 在线性区内,分析理想运放二输入间的电压时可采用( A ) a、虚短   b、虚断   c、虚地    d、以上均否  8. 如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V0为( A ) a、0V     b、3V     c、6V     d、9V  9. 如图示,运放A为理想器件,则其输出电压VO为(  C  ) a、9V   b、6V    c、0V     d、3V  10. 设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端,则V0与VN、VP分别成(  D  )  a、同相、同相 b、反相、反相  c、同相、反相 d、反相、同相 11. 若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波,则应选用( D )    A、反相比例运算电路   B、同相比例运算电路   C、微分运算电路   D、积分运算电路 半导体  12. N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D )。 a、电子  b、空穴   c、三价硼元素   d、五价磷元素 13. 半导体中有两种载流子,它们分别是( C  ) a、电子和受主离子          b、空穴和施主离子  c、电子和空穴              d、受主离子和施主离子  14. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(  B  )  .  .  a、温度     b、杂质浓度     c、掺杂工艺     d、晶体缺陷  15. 在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是( C  ) a、载流子   b、多数载流子     c、少数载流子    d、正负离子 16. 温度升高后,在纯半导体中,其电子、空穴变化为(  A  ) a、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同     b、空穴增多,自由电子数目不变 c、自由电子增多,空穴数目不变    d、自由电子和空穴数目都不变 二极管  17. PN结不加外部电压时,PN结中的电流为( B  ) a、只从P区流向N区        b、等于零 c、只从N区流向P区        d、无法判别  18. 流过二极管的电流一定,而温度升高时,二极管的正向电压( A  ) a、减小    b、增大      c、基本不变    d、无法确定 19. 当PN结外加正向电压时,耗尽层将(  C  ) a、不变     b、变宽     c、变窄     d、无法判别  20. 二极管正向电压从0.7V增大5%时,流过的电流增大为(  B   ) a、5%     b、大于5%     c、小于5%    d、不确定  21. 温度升高时,二极管的反向伏安特性曲线应(  A   ) a、上移     b、下移     c、不变     d、以上均有可能 22. 利用二极管组成整流电路,是应用二极管的(  D   )  a、反向击穿特性   b、正向特性   c、反向特性    d、单向导电性 23. PN结形成后,PN结中含有(  D   )  a、电子     b、空穴     c、电子和空穴     d、杂质离子 24. PN结不加外部电压时,扩散电流与漂移电流应(  A  ) a、相等     b、大于     c、小于     d、无法确定 25. 稳压管能够稳定电压,它必须工作在(  D   )  a、正向状态  b、反向状态  c、单向导电状态  d、反向击穿状态 26. 以下四种半导体器件中,为硅稳压管的是(  C   ) a、2CZ11      b、2AP6      c、2CW11    d、2CP10  27. 在一般电路分析计祘时,常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号 模型。如图所示符号为( C )。  A、理想模型    B、恒压降模型   C、折线模型    D、小信号模型   三极管  28. 放大电路的静态是指(  A  )  a、输入端短路   b、输入端开路  c、交流信号短路  d、交流信号为零 29. 三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度( C ) a、低       b、中      c、高     d、以上均可  30. 三极管工作在饱和区时,b-e极间,b-c极间分别为( D )  a、反偏,反偏  b、反偏,正偏   c、正偏,反偏   d、正偏,正偏 31. 三极管工作在放大区时,b-e极间、b-c极间分别为(   D   ) a、正编、正编    b、反编、反编   c、反编、正编   d、正编、反编 32. NPN型和PNP型三极管的区别是(  C  )  .  .  a由两种不同的材料硅或锗构成        b、掺入的杂质不同 c、P区和N区的位置不同            d、以上均否 33. 温度升高时,三极管的输出特性曲线将( A  ) a、上移    b、下移    c、不变    d、以上均有可能 34. 温度升高时,三极管极间反向电流将(   A   ) a、增大      b、减小      c、不变      d、无法确定  35. 某三极管的极限参数PcM=150mW,IcM=100mA,V(BR)CEo=30V,  若它的工作电压VcE=10V, 则工作电流Ic不得超过(  C ) a、100mA   b、50mA     c、15mA     d、1mA  36. 某三极管的极限参数PCM=150mw,ICM=100mA,V(BR)c EO=30V, 若它的工作电压VCE=1V,则工作电流不得超过(  D   ) a、1mA    b、15 mA     c、40 mA      d、100 mA  37. 某三极管的极限参数PCM=150mw , ICM=100mA , V(BR)CE0=30V ,  若工作电流IC=1mA , 则工作电压不得超过(   A  ) a、30V        b、15V       c、10V        d、1V  38. 用两个Au相同放大电路A和B分别对同一个具有内阻的电 压信号进行放大,测试结果为VoA>VoB,这是由于(  C )  a、输出电阻小  b、输出电阻高  c、输入电阻高  d、输入电阻小  39. 三极管输入电阻rbe与静态电流I E的大小有关,因而rbe是(  C ) a、交、直流电阻   b、直流电阻   c、交流电阻    d、以上均否 40. 如图示Us2=0,从集电极输出,则该电路属于(  C   ) a、无法确定   b、共集    c、其基      d、共发  41. 检修某台无使用说明书的电子设备时,测得三极管各电极对地电压数据为VB=-0.2V,   VC=-5V,  VE=0, 则该三极管为(  B  )  a、NPN 型,锗管  b、PNP型,锗管 c、NPN型,硅管  d、PNP型,硅管   42. 某放大电路,IA=1.5mA,IB=0.03mA, Ic=-1.53 mA ,则A,B,C中极性分别是(  D   ) a、(e、b、c)    b、(b、c、e)    c、(c、e、b)   d、(c、b、e) 43. 有二只半导体三极管,A管子的β=200,IcEo=240μA,B管子的 β=100,IcEo =20μA其他参数一样,则管子的好坏为( C  ) a、均一样     b、A管好     c、B管好     d、无法判别 44. 三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度(   A  ) a、窄     b、中    c、宽     d、以上均可  45. 在单管共射极电路中,换上β减小的管子,VCEQ将(   C   ) a、不变     b、减小     c、增大    d、无法确定 46. 三极管放大电路的三种组态(  D   )  a、都有电压放大                  b、都有电流放大    c、只有共射极才有功率放大        d、都有功率放大  47. 如图示,US1=0,US2≠0从集电极输出,则该电路属于(     ) a共射     b、共基      c、共集       d、无法判别  48. 如图所示,US1=0,US2≠0,从发射极输出,则该电路属于(  C  ) a、共射  b、共基  c、共集  d、无法判别  49. 检修某台无使用说明书的电子设备时,VB=2.73V,VC=2.3V,  .