内容发布更新时间 : 2024/5/20 3:54:47星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

【版图学习笔记】

一．Candence操作 二．DESIGN RULE 三．各器件简述 四．版图技巧 五．布局布线 六．版图流程 七．ELLA的心得

Candence操作 一．进入版图工作环境：

1.进入unit ：Xmanger1.3..9＝》Xbrowser＝》EDA4＝》用户名＝》密码 2． 界面上右键－》tools－》terminal－》 3． 在layout目录输入icfb 登陆Candence

icfb后面加“ & ”的作用是之后可以继续在Shell窗口操作命令 4． 在icfb窗口 tools－》library manager－》选择library，cell，view。

如果是新建，则FILE－》new里面新建。 5．在icfb窗口的tools－》library path 可以加库

二．最常用快捷键： f:全景图

ctrl＋z：放大 shift＋z：缩小

shift＋f：详细版图（非symbol） u：undo

w：上一界面 i：调用器件 q：看属性 r：画矩形

p：固定长度的可折线

l：lable 标注端口、电源、地等。所标识的金属层，用该层TEXT层标识。如，M6层金属则选择M6TEXT层。 s:拉伸收缩

Shift＋C：把线断开（注意：先选中线，再操作） Shift＋M: merge（同上，先选中线） k：标尺

shift＋k：取消标尺

器件旋转：q－》选rotate度数－》Apply 对于已选器件：“M“ 左键 右键旋转

g:格点 鼠标在各格点移动 一般不用 如果取消，则再按一次“g” shift+x: 进入调用器件的下层 shift＋b：返回上层

F3：在选择了操作命令后，按F3可以显示旋转，宽度调整等被操作器件特性。该键很有用。 Undo默认为一步。若要增加次数，在ICFB窗口的OPTIONS里选择USER PREFERENCES，改变undo次数。

三．Layout环境界面常用操作

左边的窗口为“LSW”窗口。

AV:all view NV:no view AS:all select NS:none select

（在连线时，可以先选NV，所有层次都看不见，再选中需要连线的层次，则版图上只显示该层，方便连线。

需要修改时，可以选NS,再选择需要修改的层次，方便改动。按右键选择活动的层次。）

下面为各层。可自己修改，添加删除。

常见操作快捷方式已在上文归纳。以下是版图设计过程中一些遇到问题后总结的操作

打散单元：EDIT->HIERARCHY->FLATTEN->FLATTEN PCELLS 完成版图后标端口：CREAT->PINS FROM LABLES DRC以后找错误：VERITY->MARKERS->FIND S操作中，先按“s”，再选择需要strentch的部分，再拉伸。 Shift＋c操作中，需要先选中需要CUT的线条。

在做GUARDRING里面，可以选择NDIFF_M1，选择一定的row和coloum，注意此时选择其中的”CONTACT“的行和列，这样就可以直接构成guarding。

二.DESING RULES

根据各不同工艺，DESIGN RULES各不相同。但大致尺寸仍然类似。规则也基本相同。

经过DRC，最容易出问题的：

1. 最小延伸：主要指多晶硅必须伸出有源区

2. 最小宽度：在线画好后，添加CONTACT与VIA等时，可能会因为位置摆放问题导致

最小线宽不符合要求。

3. 最小间距：不仅要注意各层自己的间距，如METEL1与METEL1连线间间距，还要注

意不同层之间间距符合设计规则。

4. 最小包围：由于要满足内层的最小宽度以及外层与内层的最小包围，因此在连接部分等

处要求内层材料比原先宽度增加一些。 5. PSUB WITHOUT TAB：P衬底需要接地

本次DRC下来总结：

Via四周距离 一端必须大于规则距离，另三端大于最小包围。 P衬底接地和NWELL里接高必须和器件小于20UM 最高层金属间距稍大0.44 其他为0.28

电容两极板需要用第六层引线出来，若用第五层，则它会认为是电容板的一层，报错。

三．各器件简述

1.MOS管 2.三极管 3.电容 4.电阻 5.电感

在很多工艺库中，以上器件都是可以调用的。因此不需要自己画。如果没有可以调用的器件，就按照design rule中对各层的定义，自己绘制器件。

本次流片所用到的器件：