半导体测试技术复习(精) 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/9/21 0:34:11星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

什么是半导体测试/表征技术:

半导体测试技术是现代微电子和光电子器件不可缺少的“推进器”。半导体表征或更广泛的说材料表征是工艺开发和制造过程中不可缺少的有机组成部分,它被描述成用来确定材料和器件的结构、组分、性质和性能以及它们之间相互关系的一系列相互交叉的活动。

第一章

电阻率(RESISTIVITY

电阻率ρ对于从原材料到器件的每一步来说都非常重要对于硅晶体生长: z硅晶体生长过程中(单晶、多晶),分凝,生长条件的变化。。。 z外延硅片的外延层电阻率非常均匀。 对于器件:

zThe device series resistance, capacitance, threshold voltage, hot carrier degradation of MOS devices, and other parameters.

zDiffusion and ion implantation等工艺都将影响硅片的局部电阻率。 §1. 简介

?电阻率依赖于自由电子浓度n 和空穴浓度p , 电子和空穴的迁移率( μμp )。如下式,

§2. 两探针和四探针法 ?Two-point probe:(图1a

易于实现和操作,结果准确性较差。

?four-point probe:(图1b 绝对测量手段,精确,无需校准。可作为其他方法的测试标准。

device under test (DUT.

电压测试单独利用另外两个接触探针。由于电压计 高电阻(around 1012ohms or higher,分路电流极 小,R W 和R C 对电压测试的影响可忽略。 as Kelvin measurements , after Lord Kelvin.

图2:两探针法在半导体测试 上的应用示意。 四探针法对半导体的测试

电场强度可表示为: