集成电路制造工艺与原理期末答卷 下载本文

内容发布更新时间 : 2024/9/22 5:26:10星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

深圳大学期末考试特殊考试方式

电子科学与技术学院

微电子科学与工程专业

集成电路工艺原理

期末成绩考核报告

姓名: 学号:

深圳大学考试答题纸

(以论文、报告等形式考核专用) 二○一五~二○一六学年度第 一 学期

课程编号 1600730001 学 号

课程名称 集成电路工艺原理 姓 名

主讲教师 专业年级

杨靖

评分

教师评语: 要 求 本报告(作业)必须是完全独立完成,没有抄袭或节选选本课程其他同学的作业,如果确认是抄袭(抄袭和被抄袭)都要承担最终成绩为F的结果。 完成时间:2016,1,8,17:00之前

请详细解答以下每道问题!(回答时请每道题之间留有空隙、题之间清晰分开、每题标明题号;字迹工整、最好打印;图可以手画,但是,必须用规、具,线条清晰规范;坚决杜绝!卷面脏、乱、草)

? 1) 举例回答集成电路主要集成了哪些器件? 【5分】 ? 2) 最少给出两个集成电路选用硅半导体的理由。 【5分】 ? 3) 在清洗过程中用到的进入冲洗池的纯净水的电阻(率)在出水口处为多大时说明硅片已经

被洗净? 【5分】 ? 4) 常见的半导体的沾污有哪些种类? 【5分】 ? 5) 说明正光刻胶和负光刻胶在曝光过程中的变化和区别。 【5分】 ? 6) 为什么要进行曝光前和曝光后烘焙、怎样提高光刻分辨率? 【10分】 ? 7) 请详细回答,硅片在大气中会自然氧化,从洗净工艺的角度,这属于一种沾污,采用什

么工艺即可洗净这种沾污而又不损坏硅? 【10分】 ? 8) 在刻蚀工艺中,由于电极附近鞘层领域的存在,电极附近只有正电荷存在,请用泊松方

程解释,在一个周期内电极附近的电场方向总是指向电极。 【10分】 ? 9) 在电极形成工艺中,用到金属Ti,请详尽说明金属Ti的特性,以及金属Ti在集成电路电极结

构中的作用! 【15分】 ? 10) 以CMOS的nMOS形成工艺为例来说明,在离子注入工艺中用了多道该工艺步骤,这些步

骤有什么目的或起到什么作用。 【15分】 ? 11) 等离子体是现代集成电路工艺中不可或缺的加工手段和材料,根据你的理解和掌握,请

就等离子体在集成电路工艺中有哪些应用进行详细的阐述。 【15分】

1) 举例回答集成电路主要集成了哪些器件? 【5分】

答:

集成电路主要集成了晶体管、二极管、电阻和电容。

2) 最少给出两个集成电路选用硅半导体的理由。 【5分】 答:

(1)硅存量丰富,是地球上第二丰富的元素,占到地壳成分的25%,经合理加工,能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本。

(2)硅熔点高,可以承受更加高温的工艺,相当于放宽了工艺要求。

(3)硅表面会自然生成氧化硅,它是一种高质量、稳定的电绝缘材料,而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部玷污。生长稳定的薄层氧化硅材料的能力是制造高性能金属 - 氧化物半导体(MOS)器件的根本。

3) 在清洗过程中用到的进入冲洗池的纯净水的电阻(率)在出水口处为多大时说明硅片已经被洗净? 【5分】

答:

在清洗过程中纯净水的电阻率为18MΩ时说明硅片已经被洗净。

4) 常见的半导体的沾污有哪些种类? 【5分】 答::

(1)颗粒 (2)金属杂质 (3)有机物沾污 (4)自然氧化层 (5)静电释放

5) 说明正光刻胶和负光刻胶在曝光过程中的变化和区别。 【5分】 答: