内容发布更新时间 : 2024/4/28 9:23:40星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

是Intel公司专门为移动平台和服务器平台处理器开发的一种节电技术。到后来，新推出的桌面处理器也内置了该项技术。EIST是根据处理器负载来调节主频和电压的模块，它的触发机制同C1E halt state是不同的。操作系统、BIOS的支持是必需的，操作系统通过ACPI进行调节。EIST提供了更多的CPU频率和电压调节级别，因此可以比C1E halt更加精确的调节处理器的状态。 3-4、Turbo Boost设置

开启/关闭Turbo Boost，默认开启。英特尔第2代睿频技术。CPU可以根据负载启用核心数量，并自动超频。单核工作时频率可提高20%。 3-5、OC Genie按钮

开启/关闭 OC Genie按钮，默认是关闭。这是一键超频功能，在H61主板上没有作用。 3-6、内存频率设置

回车弹出频率选择菜单。H61也不支持内存超频，默认的频率最高是1333MHz。 3-7、XMP设置

开启/关闭XMP，默认是关闭。XMP在H61主板上也不起作用。 3-8、DRAM时序模式

这里的设置有Auto/Link/Unlink，Auto就是按内存的SPD参数自动设置，Link/Unlink是手动设置，Link是双通道用同一个时序设置，Unlink是2个通道分开设置时序。当设置了Link/Unlink后，下面的Advanced DRAM Configuration变为可操作的，以便于手动设置内存时序。 3-9、内存时序设置

3-9-1、第一梯队的六个参数

这6个参数是最重要的，可以在CPU-Z里面看到。其中CL、RCD、RP是JEDEC标准排名前三的重要参数。 Command Rate：命令速率，也称之为CR，Command Mode。设置参数有1T/2T/3T。这个选项是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。延迟时间以周期为单位。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。

tCL：参数范围5-15T。CL就是CAS# Latency，列地址选通潜伏时间，指的是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

tRCD：参数范围4-15T。RCD就是RAS# to CAS# Delay，行地址到列地址的延迟时间，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。

tRP：参数范围4-15T。RP就是Row# precharge Delay，内存行地址选通脉冲预充电时间。也叫做“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数大会导致所有的行激活延迟过长，参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。

这3个参数是JEDEC规范中最重要的参数，参数值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。

tRAS：参数范围10-40T。RAS就是Row# active Delay，内存行地址选通延迟。即“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 tRFC：参数范围48-200T。RFC就是Refresh Cycle Time，刷新周期时间。它是“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

3-9-2、DRAM参数的第二梯队

tWR：参数范围5-16T。WR就是Write Recovery Time，写恢复延时。该值指的是在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。

tWTR：参数范围4-15T。WTR就是Write to Read Delay，写到读延时。这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。

tRRD：参数范围1-15T。RRD就是Row to Row Delay，行到行延迟。也称为RAS to RAS delay ，表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。

tRTP：参数范围4-15T。RTP就是DRAM READ to PRE Time，内部读取到预充电命令时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。

tFAW：参数范围4-63T。FAW就是DRAM FOUR ACT WIN Time，内存四项动作成功时间。该选项通常设置为Auto即可，对性能以及稳定性影响不大。

tWCL：参数范围5-15T。WCL就是Write CAS Latency，写指令到行地址控制器延时。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。这个参数和tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL是“读”的延迟，tWCL是“写”的延迟。

tCKE：参数范围3-15T。CKE是时钟有效信号（Clock Enable），在这里这个参数叫做CKE Minimum Plus Width，就是CKE最小脉冲宽度。

tRTL：参数范围24-64T。RTL就是DRAM Round Trip Latency，在一个UCLK（NB Clock）内往返读取若干单元之间的最小延迟。 3-9-4、第三梯队（高级通道1时序配置）

这个梯队是读写通道1内存的特殊参数。 tRRDR：Read-Read Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，读取不同RANK的延迟。

tRRDD：Read-Read Different Rank。这个参数的含义是读取不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。

tWWDR：Write-Write Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，写不同RANK的延迟。

tWWDD：Write-Write Different Rank。这个参数的含义是写不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。

tRWDRDD：Read-Write Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上读-写不同的RANK的延迟。

tWRDRDD：Write-Read Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上写-读不同的RANK的延迟。

tRWSR：Read-Write Same Rank。这个参数的含义是读-写同一个RANK的延迟。

3-9-5

JEDEC的DDR3时序表

10、集显超频

开启/关闭集显超频，默认是开启。