内容发布更新时间 : 2024/11/20 3:37:53星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
《集成电路设计实践》报告
题目： n阱CMOS芯片制作工艺设计 院系： 自动化与信息工程学院 电子工程系 专业班级： 班 学生学号： 学生姓名： 指导教师姓名： 职称：
起止时间： 2016-1-4--2015-1-18
成绩：
目录
一．设计要求 ......................................................... 1 1、设计任务.....................................................1 2、特性指标要求.............................................1 3、结构参数参考值..........................................1 4、设计内容.....................................................1 二、 MOS管的器件特性参数设计计算 .............. 2 1、NMOS管参数设计与计算。 ..................... 2 2、PMOS管参数设计与计算。 ..................... 3 三、 工艺流程分析 ............................................... 4 1、衬底制备.....................................................4 2、初始氧化.....................................................4 3、n阱光刻......................................................4 4、n阱形成(磷离子注入)...............................5 5、氮化硅淀积................................................5 6、光刻有源区................................................5 7、场区氧化....................................................5 8、阈值电压调整............................................6
9、多晶硅淀积................................................6 10、光刻多晶硅..............................................6 11、n+区光刻...................................................6 12、P+区光刻...................................................6 13、淀积PSG...................................................7 14、光刻与刻蚀接触孔..................................7 15、蒸铝、刻铝..............................................7 16、光刻钝化孔..............................................7 四、 光刻工艺分析与版图形成..........................7 1、n阱光刻.....................................................8 2、有源区光刻................................................8 3、光刻多晶硅................................................8 4、n+区光刻...................................................8 5、p+区光刻...................................................9 6、光刻接触孔...............................................9 7、金属化内连线（刻铝）...........................9 五、 工艺实施方案 ............................................... 7 六、 参考文献 ...................................................... 7 七、心得体会
五、工艺实施方案
工艺步骤 1 工艺名称 衬底制备 工艺目的 衬底制备 设计目标结构参数 电阻率20Ω·cm 晶向<100> 2 一次氧为形成供掩蔽膜 3 一次光刻 4 5 一次粒一次扩散 6 二次氧化 为磷扩散提供窗口 注入形热驱入达到n阱深度 作为氮化硅薄膜的缓冲层 7
工艺方法 工艺条件 厚度误！未找到引用源。 干氧—干氧 化外延 n阱提1.24错湿氧—电子束曝光 离子注入 有限表面源扩散 子注入 成n阱 膜厚625? 干氧氧化 氮化硅作为光 LPCVD
薄膜淀积 8 二次光刻 9 刻有源区的掩蔽膜 为磷扩散提供窗口 电子束曝光 湿氧氧化 场氧一 利用氮化硅的掩蔽，在没氮化硅区域生长氧化层 10 三次光刻 除去n阱有源区的氮化硅等 电子束曝光 11 12 场氧二 生长氧化层 二次离调整阈 表面参和结深及方块电阻 湿氧氧化 注入磷离子 子注入 值电压 杂浓度13 栅极氧化 形成栅极氧化层 淀积多晶硅层 形成膜厚625? 干氧 14 15
多晶硅淀积 四次光LPCVD 电子束