内容发布更新时间 : 2024/12/24 11:06:38星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
5.6GHz CMOS 低噪声放大器设计
摘要:分析了一种射频 COMS 共源-共栅低噪声放大器的设计电路,采用 TSMC 90nm 低功耗工艺实现。仿真结果表明:在 5.6GHz 工作频率,电压增 益约为 18.5dB;噪声系数为 1.78dB;增益 1dB 压缩点为-21.72dBm;输入 参考三阶交调点为-11.75dBm。在 l.2V 直流电压下测得的功耗约为 25mW。 关键词;互补金属氧化物半导体;低噪声放大器;噪声系数;线性度; 0 引言 低噪声放大器(LNA)是射频接收机前端的主要部分。它主要有四个特 点:首先,它位于接收机的最前端,这就要求它的噪声越小越好。为了抑制后 面各级噪声对系统的影响,还要求有一定的增益,但为了不使后面的混频器过 载,产生非线性失真,它的增益又不宜过大。放大器在工作频段内应该是稳定 的。其次,它接受的信号是很微弱的,所以低噪声放大器必定是一个小信号线 性放大器。第三,低噪声放大器一般通过传输线直接和天线相连,放大器的输 入端必须与其有很好的匹配,以达到最大传输功率或最小的噪声系数。第四, 应具有一定的选频功能,抑制带外和镜像频率干扰。
在 GHz 频率范围内,
CMOS 工艺相比其他工艺有价格低、集成度高、功耗低等优点,利用 CMOS 工 艺来设计射频集成电路已经得到越来越广泛的应用,本文即采用 CMOS 工艺来 实现对一种 5.6GHz 低噪声放大器的设计。
1 LNA 结构及性能分析 由于带源端负反馈电感的共源放大器具有噪声系数 低、增益高、线性度好,以及可实现输入阻抗匹配等优点,因此在无线收发机 系统中得到广泛应用。为了减小晶体管的 Miller 效应和有限输出阻抗对放大器 性能的影响,并提供良好的方向隔离性能,低噪声放大器通常采用 Cascode 结 构。具体电路如图 1 所示。
共栅方式连接的晶体管 M2 用来减少调谐输出与调谐输入之间的相互作用,
并同时减少 Ml 的 Cgd 的影响。晶体管;M3 基本上是与 M1 形成一个电流镜, 通过 M3 的电流是由电源电压和 Rref 以及 M3 的 Vgs 决定的。电阻 RBIAS 选 择得足够大,所以它的等效噪声电流小到足以被忽略。为了完成偏置,必须用 一个隔断 DC 的电容 CB 来防止影响 M1 的栅源偏置。 M1 源级接 Ls,形成源 级负反馈结构,栅极接 Lg,做输入匹配使用。若忽略栅漏电容 Cgd,则其输入 阻抗可以表示为:
其中 Lg、Ls 为片上平面螺旋电感。为了实现 50Ω 阻抗匹配,通过调谐感抗, 使其在谐振频率 ωo 处谐振,上式的虚部为零,实部等于 50Ω。这种匹配设计 的好处在于使用等效电阻实现与输入端的匹配,而无需引入实际电阻,因而减 少了额外的热噪声。即如下式:
这就是源极负反馈结构在 LNA 设计中普遍
采用的一个原因。在设计过程中,由式(3)根据 M1 的参数和 50Ω 匹配条件设计 出 Ls,再由式(2)根据工作频率点和滤波要求确定栅极电感 Lg。tips:感谢大家 的阅读,本文由我司收集整编。仅供参阅!