内容发布更新时间 : 2024/11/16 19:06:04星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

刻蚀（ETCH）工艺的基础知识 f4 }\ 何谓蚀刻(Etch)?

答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。 蚀刻种类:

答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻 蚀刻对象依薄膜种类可分为: 答：poly,oxide, metal

半导体中一般金属导线材质为何?

答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu) 8 n5 i! \\; k5 ]& f | 何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)? 答：Oxide etch and nitride etch 半导体中一般介电质材质为何? 答：氧化硅/氮化硅 何谓湿式蚀刻

答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除 4 E% e8 p3 A8 q6 F5 U 何谓电浆 Plasma?

答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子, 负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压. 何谓干式蚀刻?

答：利用plasma将不要的薄膜去除

何谓Under-etching(蚀刻不足)? $ a$ o2 k; j9 F; N

答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 6 m9 d- c! W! `. `6 ?\

何谓Over-etching(过蚀刻 ) 答：蚀刻过多造成底层被破坏 何谓Etch rate(蚀刻速率) ! n* v/ r6 b0 `

答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度 8 _5 F4 Q+ r) D8 n2 K 何谓Seasoning(陈化处理)

答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy） 晶圆* L% r$ a5 L5 p, D N% C

进行数次的蚀刻循环。 & H2 O6 r2 K0 p6 u* W( @2 A9 b5 N Asher的主要用途:

答：光阻去除 * m8 q\

Wet bench dryer 功用为何? ; c* ?# M\ 答：将晶圆表面的水份去除 & q+ k& d+ p: m9 M% k( g' U2 M 列举目前Wet bench dry方法: 9 [* L b4 e+ ] O) T

答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry ( }\ 何谓 Spin Dryer \ 答：利用离心力将晶圆表面的水份去除 何谓 Maragoni Dryer

答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除 - R( s3 v& r) Q( g7 p 何谓 IPA Vapor Dryer 9 X4 R3 @* m% I2 I C% R

答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除 0 q4 s$ e' Z' W* | 测Particle时,使用何种测量仪器? 答：TencorSurfscan

测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? 8 M6 d5 ~% \\) g 答：膜厚计,测量膜厚差值 2 X, {1 M$ f& S 何谓 AEI

答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查 7 d J( [\ AEI目检Wafer须检查哪些项目:

答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确 0 J- E7 |* b- Y\

金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理? : K% |+ m4 T2 a 答：清机防止金属污染问题 ( Y* G Z, S0 v7 `9 m5 i5 [ 金属蚀刻机台asher的功用为何? \ 答：去光阻及防止腐蚀

金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗? 答：因为金属线会溶于硫酸中 7 z5 {0 @ A1 I+ s5 f9 _0 d \机台是什幺用途? % Y& H. w2 p5 g/ b* n 答：烘烤 , x1 | J% L# S4 K4 n) z, F- x

Hot Plate 烘烤温度为何? 1 M) I4 o5 ~4 d0 F9 J: z 答：90~120 度C 5 O& G$ V6 ?; |: o\

何种气体为Poly ETCH主要使用气体? ! q! \\# {# K5 \\/ A 答：Cl2, HBr, HCl$ I% O* e$ |; s# T4 l

用于Al 金属蚀刻的主要气体为 # N( {( @* l; W0 V% D 答：Cl2, BCl3

用于W金属蚀刻的主要气体为 答：SF6 , s0 r! a# b! R( D

何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体? 答：C4F8, C5F8, C4F6 硫酸槽的化学成份为:

答：H2SO4/H2O2 $ ]% j) m6 ^4 E9 y* K& y AMP槽的化学成份为: 答：NH4OH/H2O2/H2O

UV curing 是什幺用途?

答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度 - D Q* r0 F+ C2 h; W0 X \用于何种层次? $ b1 Z* ?5 U. K\ 答：金属层

何谓EMO? \ 答：机台紧急开关

EMO作用为何? 8 Q* s1 i( \\1 o: ]&i; J

答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下 湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?

答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (38 f- A4 k\

) 化学药剂危险. 严禁打开此门

遇化学溶液泄漏时应如何处置? - }, Y9 u; L( b. A7 g$ X2 n( q

答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路. 遇 IPA 槽着火时应如何处置??

答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组 / H X8 e! [- r0 M; P. }

BOE槽之主成份为何?

答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵). BOE为那三个英文字缩写 ?

答：Buffered Oxide Etcher 。 , |; R7 T) T C

有毒气体之阀柜(VMB)功用为何? ; o r5 a. x5 T5 R\

答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出 # B' R' }6 _, U! f 电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率? ( v0 {5 F5 _3 j! s

答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz ,1

3.56MHz,2.54GHz等 ' b! F9 U$ O! J3 F8 G 何谓ESC(electrical static chuck)

答：利用静电吸附的原理, 将 Wafer 固定在极板 (Substrate) 上 Asher主要气体为 \ 答：O2 - u$ V7 F2 F\

Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何? 答：温度 ) Z/ ^ J9 A0 z# K+ V2 q3 T9 n 简述TURBO PUMP 原理 . v) j( N\ 答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR

热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何？ / z1 U1 b. i; |2 a2 K% b4 ?\ 答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地

简述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理？ 1 N4 C0 ^; p9 w: ?\

答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化 ) c# G% y% @1 L2 ~ ORIENTER 之用途为何？ \

答：搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题 简述EPD之功用 7 ?8 W3 U- M: W8 E* s

答：侦测蚀刻终点;End point detector利用波长侦测蚀刻终点 7 L5 Q) z) }( G2 g! Y. R 何谓MFC？

答：mass flow controler气体流量控制器;用于控制 反应气体的流量 - l% D- ~/ ^: G& J$ a M1 ^ GDP 为何?

答：气体分配盘(gas distribution plate) GDP 有何作用？ 9 z9 j0 p# z! f: j: ] 答：均匀地将气体分布于芯片上方 何谓 isotropic etch? : I) s K+ F( i2 H2 H5 [( J 答：等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等 何谓 anisotropic etch? 7 S' O) V2 I% r f# G 答：非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少 何谓 etch 选择比?

答：不同材质之蚀刻率比值 何谓AEI CD? 7 T1 D+ _2 R# Z! h9 C

答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension) 何谓CD bias?

答：蚀刻CD减蚀刻前黄光CD ; K& B+ ]2 T( H: e I: E 简述何谓田口式实验计划法? ; g9 Q9 t/ d5 y/ c3 x# r

答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析 , y N N: A2 o- m\ 何谓反射功率?

答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反

射掉,此反射之量,称为反射功率 6 N' w* v. |$ R* | Load Lock 之功能为何?

答：Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的 影响.

厂务供气系统中何谓 Bulk Gas ?

答：Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如 N2, O2, Ar 等. 厂务供气系统中何谓Inert Gas?

答：Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等. 8 J- I [0 Q* x

厂务供气系统中何谓Toxic Gas ?

答：Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等. T$ l% @9 M: \\

机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理? ' ]0 C+ E: w# w; _

答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作 1 \\9 |4 w i+ I0 b 冷却器的冷却液为何功用 ? 4 H& u+ N h6 G* @\ 答：传导热 ! L3 U6 B2 m% z/ F. b; U3 V

Etch之废气有经何种方式处理 ? . S: r+ U2 b4 v$ v, S8 X

答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽 & G: {4 M/ t+ B- H 何谓RPM? ! u\ 答：即Remote Power Module,系统总电源箱. 火灾异常处理程序 # C; P: D- N3 _( r, Q

答：(1) 立即警告周围人员. (2) 尝试 3 秒钟灭火. (3) 按下EMO停止机台. (4) 关 闭 VMB Valve 并通知厂务. (5) 撤离.

一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序 5 ]( G, [' s8 A9 |) j' w

答：(1) 警告周围人员. (2) 按 Pause 键,暂止 Run 货. (3) 立即关闭 VMB 阀,并通 知厂务. (4) 进行测漏. 高压电击异常处理程序

答：(1) 确认安全无虑下,按 EMO键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3) 处理受 伤人员 \

T/C (传送Transfer Chamber) 之功能为何 ?

答：提供一个真空环境, 以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送 Wafer,节省时间. * G7 ^1 `' y9 z8 u/ u ^4 }% D8 W 机台PM时需佩带面具否 答：是,防毒面具

机台停滞时间过久run货前需做何动作

答：Seasoning(陈化处理) : U& g8 l5 {2 c, @2 m% K, G 何谓日常测机 9 S# R# t: d: F( J1 ?0 a }4 u 答：机台日常检点项目, 以确认机台状况正常 何谓WAC (Waferless Auto Clean)

答：无wafer自动干蚀刻清机 ! s7 H# r. i5 K\ 何谓Dry Clean 答：干蚀刻清机

日常测机量测etch rate之目的何在?

答：因为要蚀刻到多少厚度的film,其中一个重要参数就是蚀刻率 1 S' P% H( z- k/ F0 ^# B

操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施?

答：(1) 穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时 之需(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带 5 l: z: k0 s) L O