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第四章习题
4-1．一硅肖特基势垒二极管有0.01 cm的接触面积，半导体中施主浓度为10
162cm
?3设?0?0.7V，VR?10.3V。计算
（1）耗尽层厚度；
（2）势垒电容；
（3）在表面处的电场
4-2．（1）从示于图4-3的GaAs肖特基二极管电容-电压曲线求出它的施主浓度、自建电
势势垒高度。
(2) 从图4-7计算势垒高度并与（1）的结果作比较。 4-3．画出金属在P型半导体上的肖特基势垒的能带结构图，忽略表面态。指出（1）?m??s 和（2）?m??s两种情形是整流节还是非整流结，并确定自建电势和势垒高度。
12?2?14-4.自由硅表面的施主浓度为10cm，均匀分布的表面态密度为Dss?10cmeV，
15?3电中性级为EV?0.3eV，计算该表面的表面势（提示：首先求出费米能级与电中性能
级之间的能量差，存在于这些表面态中的电荷必定与表面势所承受的耗尽层电荷相等）。 4-5.已知肖特基二极管的下列参数：?m?5.0V，?s?4.05eV，Nc?1019cm?3，
Nd?1015cm?3，以及k=11.8。假设界面态密度是可以忽略的，在300K计算：
（1）零偏压时势垒高度，自建电势，以及耗尽层宽度；
(2)在0.3v的正偏压时的热离子发射电流密度。
4-6．在一金属-硅的接触中，势垒高度为q?b?0.8eV,有效理查逊常数为
R*?102A/cm2?K2，Eg?1.1eV，Nd?1016cm?3，以及
Nc?Nv?1019cm?3。
（1）计算在300K，零偏压时半导体的体电势Vn和自建电势；
（2）假设Dp?15cm/s和Lp?10um，计算多数载流子电流对少数载流子