内容发布更新时间 : 2024/11/15 18:36:19星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
（2）有一信号电荷束注入到势阱中，测得CGS为（1）中 求得的数值的两倍，求注入的电子总数和电子密度。
10-5一CCD制造在Na?2?1014cm?3的P型衬底上，氧化层厚度为150nm，电极面积
为10?20?m：
（1）假设VFB?0,Qsig?0，计算分别偏置在VG?10V和20V的两邻近电极表面势和耗尽层深度；
（2）在把10个电子引进单元之后重复（1）； （3）试草绘（2）的势阱图。
10-6（1）若电极间距为3?m，计算习题10-5（1）中电极边界上的边缘电场；
（2）假设在电荷转移之前，有10个电子均匀分布在VG?10V的一势阱中，估算一下通过边缘场电流使全部电子转移到VG?20V的邻近势阱所需的时间。 参考文献
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