内容发布更新时间 : 2025/4/2 5:56:10星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
VCE=VCC?ICRC=1.2V，即VCE=-1.2V
（2）电路参数变化时，分析方法同上。
（a）当RB2=2 kΩ时，VBB=-0.56V。由于│VBB│<│VBE（on）│，因此，三极管工作在截止模式。 （b）当RB1=15 kΩ时，VBB=-3.6V，RB=6kΩ，IB=62.77μA，IC=12.55mA，VCE =6.07V。由于VCE>-0.3V，故三极管工作在饱和模式。
（c）RE=100Ω时，IB=56.16μA，IC=11.23mA，VCE=3.36V，三极管工作在饱和模式。
2-20 在图LP2-20所示的电路中，已知管子的β=100，VBE（on）=-0.7V，ICQ=-2.17mA，rce不计。信号源vS =0.1sinωt（V），Rs=10kΩ，RB=12.5 kΩ。设rbb’=0，试求三极管各极电压和电流值 iB、vbe、iC、vce。
RB+Vsm
解：由于V′sm=Rs+RB= 55.5mV，R′S= RS//RB =5.55k?
26rb’e= (1+β) =1198.16Ω，R’L=Rc//RL=297.87?
ICQ
IBQ=ICQ /β =-21.7μA
V'sm
因此Ibm= R ' + =8.23μA iB=IBQ+Ibmsinωt=-21.7+8.23sinωt(μA)
srb'e
Icm=βIbm=823μA iC= ICQ+Icmsinωt=-2.17+0.823sinωt(μA)
vbe= ibrb′e=9.86sinωt(mV)，vce=icRL′=0.25sinωt(V)
2-21 在图LP2-21所示实现平方律运算的电路中各管有相同的发射结面积，工作在放大区，β很大，且忽略基区宽度调制效应，试证：
IW=IX+IY
解：利用跨导线性环原理得
IX≈IC3=IC4。 IC3×IC4=IC1×IC5
IY≈IC6=IC7 解联立方程，可证明IW=IX+IY
IC6×IC7=IC2×IC5 IW=IC1+IC2=IC5
2-22 在图LP2-22所示电路中，若各管β相等，试证：不论β为何值，四个是流之间关系式为
I1×I3=I2×I4
解：利用跨导线性环原理知 IC1×IC3=IC2×IC4 其中IC1=I1-IB1-IB2，IC2=I2，IC3=I3，IC4=I4-IB3-IB4 因此（I1-IB1-IB2）I3=（I4-IB3-IB4）I2
整理得 I1I3-（IB1+IB2）I3=I2I4-（IB3+IB3）I2
由于电路对称知IB2=IB3，IB1=IB4，则I3=I2 因此，不论β为何值，I1×I3=I2×I4
2
2
2
2
2
2
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3.5 习题解答
3-1 场效应管输出特性曲线如图LT3-1所示，试判断场效应管的类型画出相应器件符号，确定VGS（th），并在图上画出饱和区与非饱和区的分界线。
解：本题利用FET曲线模型，熟悉各类FET饱和区外部工作条件及饱和区与非饱和区分界方程式。 图LT3-1（a）：从VDS>0，判断力N沟道器件；从VDS与VGS极性相同，判断为增强型MOSFET。对于N沟道EMOSFET，VGS（th）是ID=0时的VGS值，即VGS（th）=1V。
图LT3-1（b）：从VDS<0，判断为P沟道器件；从VDS=VGS值，即VGS（th）=1V。
MOS管馆和区与非饱和区分界线方程VDS=VGS?