内容发布更新时间 : 2024/12/23 22:57:42星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
13. 试比较算术移位和逻辑移位。
14. I/O有哪些编址方式?各有何特点?
I/O的编址方式有两种：统一编址和不统一编址。
统一编址即在内存地址空间划出一定的范围作为I/O地址，这样通过访存指令即可实现对I/O的访问。但是主存容量相应减少了。所谓不统一编址即I/O和主存的地址是分开的，I/O地址不占内存空间，故这种编址不影响主存容量，但访问I/O时必须有专用I/O的指令。 15. 试比较间接寻址和寄存器间址?(异同)
两者都扩大了操作数的寻址范围。间接寻址需要访存，寄存器寻址不需要访存相对间接寻址，寄存器寻址指令字较短，节省了存储空间。图见课本 16. 试比较SRAM和DRAM的区别。
17. 控制单元的功能是什么？其输入包括哪些内容（信号）？输出的内容是什么？
发出各种控制信号序列。
输入来自时钟、指令寄存器、各种状态标记、系统总线的信号。 输出CPU内的控制信号、送至系统总线的信号。
18. CPU的有哪些功能？画出其结构框图并简要说明每个部件的作用。
CPU的基本功能是指令控制、操作控制、时间控制、数据加工和中断处理
19. 什么是多重中断？实现多重中断的条件是什么？
20. 简述I/O接口的功能和基本结构。
I/O接口的功能：选址，传送数据，传送命令，反映设备状态。
I/O接口组成：设备选择电路，数据缓冲器，命令寄存器，命令译码器，设备状态标记，控制逻辑电路。
21. 提高访存速度可以采用哪些措施，请至少说出五种措施。
22. 计算机存储系统分哪几个层次？每一层次主要采用什么存储介质？其存储容量和存取速度的相
对关系如何？
23. DRAM存储器为什么要刷新？有几种常用的刷新方式？
DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。 常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。
24. 什么是指令周期？什么是机器周期？什么是时钟周期？三者有什么关系？
25. 某机器采用三地址指令，具有常见的8种寻址操作。可完成60种操作，各种寻址方式均可在2K主存
范围内取得操作数，并可在1K范围内保存运算结果。问应采用什么样的指令格式？指令字长最少为多少位？执行一条指令最多要访问多少次主存？ OP 6 3 A1 11 3 A2 11 3 A3 10 最少为：6+3+11+3+11+3+10=47位。 执行一条指令最多访问6次主存。
26. 画出计算机硬件组成框图，说明各部件的功能。
四、计算题
1.
求有效信息位01101110的海明校验码。
2. 3.
已知X=13/32，Y=-27/32，用补码一位乘计算X·Y。 已
知
X=13/32
，
Y=-27/32
，
用
补
码
两
位
乘
计
算
X
·
Y
。